PROFET
®
bts 432 d2
infineon 科技 ag 页1的14 1999-03-22
smart highside 电源 转变
特性
•
加载 丢弃 和 反转 电池 保护
1
)
•
clamp 的 负的 电压 在 输出
•
短的-电路 保护
•
电流 限制
•
热的 关闭
•
diagnostic 反馈
•
打开 加载 发现 在 在-状态
•
cmos 兼容 输入
•
E
lectro
s
tatic
d
ischarge (
静电释放
) 保护
•
丧失 的 地面 和 丧失 的 v
bb
保护
2)
•
超（电）压 保护
•
欠压 和 超（电）压 关闭 和 自动-
重新开始 和 hysteresis
应用
•
µ
c 兼容 电源 转变 和 diagnostic 反馈
为 12 v 和 24 v 直流 grounded 负载
•
所有 类型 的 resistive, inductive 和 capacitve 负载
•
替代 electromechanical 接转 和 分离的
电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, 地面 关联 cmos 兼容 输入 和 diagnostic
反馈, 整体的 在 smart sipmos
碎片 在 碎片 技术. 全部地 保护 用 embedded 保护
功能.
+ v
bb
在
ST
信号 地
静电释放
PROF
ET
输出
地
逻辑
Voltag
e
传感器
Voltag
e
源
打开
加载
detectio
n
短的
电路
detectio
n
承担
打气
水平的
shifter
Temperatur
e
传感器
Rectifie
r
限制 为
unclampe
d
ind.
负载
门
protectio
n
Curren
t
限制
2
4
1
3
5
加载 地
加载
V
逻辑
Overvoltag
e
protectio
n
R
bb
1)
非 外部 组件 必需的, 反转 加载 电流 限制 用 连接 加载.
2)
额外的 外部 二极管 必需的 为 charged inductive 负载
产品 summary
V
加载 丢弃
80 V
V
bb
-
V
输出
avalanche clamp 58 V
V
bb (运作)
4.5 ... 42 V
V
bb (反转)
-32 V
R
在
38
m
Ω
I
l(scp)
44 一个
I
l(scr)
35 一个
I
l(iso)
11 一个
1
5
笔直地 leads
1
5
SMD
5
标准
: 点此下载
