PROFET
®
数据 薄板 bts660p
infineon 科技 ag页 12003-oct-01
smart highside 高 电流 电源 转变
Reversave
•
反转 电池 保护 用 自 转变 在 的
电源 场效应晶体管
特性
•
超载 保护
•
电流 限制
•
短的 电路 保护
•
在 温度 保护
•
在 电压 保护 (包含 加载 丢弃)
•
clamp 的 负的 电压 在 输出
•
快 deenergizing 的 inductive 负载
1
)
•
低 ohmic inverse 电流 运作
•
diagnostic 反馈 和 加载 电流 sense
•
打开 加载 发现 通过 电流 sense
•
丧失 的
V
bb
保护
2
)
•
E
lectro
s
tatic
d
ischarge (
静电释放
) 保护
应用
•
电源 转变 和 电流 sense diagnostic
反馈 为 向上 至 48
v 直流 grounded 负载
•
大多数 合适的 为 负载 和 高 inrush 电流
像 lamps 和 发动机; 所有 类型 的 resistive 和
inductive 负载
•
替代 electromechanical 接转, fuses 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, current 控制 输入 和 diagnostic 反馈 和 加载
电流 sense, 整体的 在 smart sipmoS
碎片 在 碎片 技术. 供应 embedded protective 功能.
在
承担 打气
水平的 shifter
整流器
限制 为
unclamped
ind. 负载
门
保护
电流
限制
3
超（电）压
保护
+ v
bb
PROFET
输出
4 &放大; tab
1,2,6,7
加载 地
加载
输出
电压
发现
R
是
是
5
I
是
I
L
V
是
I
在
逻辑 地
电压
传感器
电压
源
电流
Sense
逻辑
静电释放
温度
传感器
R
bb
V
在
1
) 和 额外的 外部 二极管.
2
)
额外的 外部 二极管 必需的 for energized inductive 负载 (看 页 9).
产品 summary
超（电）压 保护
V
bb(az)
70 V
输出 clamp
V
在(cl)
62
V
运行 电压
V
bb(在)
5.0
...
58 V
在-状态 阻抗
R
在
9
m
Ω
加载 电流 (iso)
I
l(iso)
44 一个
短的 电路 电流 限制
I
l(sc)
90 一个
电流 sense 比率
I
L
:
I
是
13 000
至 220-7smd
1
7
标准
1
7
SMD
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