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资料编号:274316
 
资料名称:SI4816DY-T1
 
文件大小: 91.82K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
G
2
S
2
n-频道 2
场效应晶体管
肖特基 二极管
一个
G
1
D
1
n-频道 1
场效应晶体管
S
1
/d
2
特性
D
LITTLE FOOT
r
电源 场效应晶体管
D
100% R
g
Tested
Si4816DY
Vishay Siliconix
文档 号码: 71121
s-41697—rev. e, 20-sep-04
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管 肖特基 二极管
产品 SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
频道-1
0.022 @ V
GS
=10V 6.3
Channel-1
30
0.030 @ V
GS
=4.5v 5.4
频道 2
30
0.013 @ V
GS
=10V 10
频道-2
0.0185 @ V
GS
=4.5v 8.6
肖特基 产品 SUMMARY
V
DS
(v)
V
SD
(v)
二极管 向前 电压
I
F
(一个)
30 0.50 V @ 1.0 一个 2.0
G
1
D
1
一个/s
2
D
2
/s
1
一个/s
2
D
2
/s
1
G
2
D
2
/s
1
所以-8
5
6
7
8
p View
2
3
4
1
订货 信息: Si4816DY
si4816dy-t1 (和 录音带 卷轴)
Si4816DY—E3 (含铅的 (铅)-自由)
si4816dy-t1—e3 (含铅的 (铅)-自由 录音带 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
=25
_
C 除非 否则 指出)
频道-1 频道-2
参数 标识
10 secs 稳步的 状态 10 secs 稳步的 状态
单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 电流 (t
J
= 150
_
c)
一个
T
一个
=25
_
C
I
D
6.3 5.3 10 7.7
持续的 电流 (t
J
= 150
_
c)
一个
T
一个
=70
_
C
I
D
5.4 4.2 8.2 6.2
搏动 电流 I
DM
30 40
一个
持续的 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.3 0.9 2.2 1.15
Avalanche 电流
b
L = 0 1 mH
I
12 25
单独的 脉冲波 Avalanche 活力
b
l=0.1mh
E
7.2 31.25 mJ
最大 电源 消耗
一个
T
一个
=25
_
C
P
D
1.4 1.0 2.4 1.25
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
=70
_
C
P
D
0.9 0.64 1.5 0.8
W
运行 接合面 存储 温度 范围 T
J
,t
stg
--55 150
_
C
热的 阻抗 比率
频道-1 频道-2 肖特基
参数 Symbol
Typ 最大值 Typ 最大值 Typ 最大值
单位
最大 接合面 包围的
一个
t
10
R
72 90 43 53 48 60
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
R
thJA
100 125 82 100 80 100
_
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的-状态 R
thJC
51 63 25 30 28 35
c/
注释
一个. 表面 挂载 1” x 1” FR4 板.
b. 开始 日期 代号 w46baa.
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