特性
极其 低 q
gd
wfet 技术 为
切换 losses
TrenchFET
电源 场效应晶体管
100% r
g
测试
产品
高-一侧 直流/直流 转换
−
Notebook
−
Server
Si4392DY
vishay siliconix
文档号码: 72151
s-41427—rev.d, 26-jul-04
www.vishay.com
1
n-频道 减少 q
g
, 快 切换 wfet
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
30
0.00975 @ v
GS
= 10 v 12.5
30
0.01375 @ v
GS
= 4.5 v 10.0
所以-8
SD
SD
SD
GD
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
订货 信息: Si4392DY
si4392dy-t1(和 录音带 和 卷轴)
si4392dy—e3 (含铅的 (铅)-自由)
Si4392DY-t1—e3 (含铅的 (铅)-自由 和 录音带 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
一个
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
30
门-源 voltage V
GS
20
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
12.5
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
10
一个
搏动 流 电流 I
DM
50
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.7
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.0
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.9
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
热的 阻抗 比率
一个
参数 典型 最大 单位
最大接合面-至-包围的 R
thJA
33 42
c/w
最大 接合面-至-foot (流) R
thJF
16 20
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板, t
10 秒
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