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资料编号:342321
 
资料名称:IRG4PSH71KD
 
文件大小: 200.03K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 1200 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 78
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 42
I
CM
搏动 集电级 电流
156 一个
I
LM
clamped inductive 加载 电流
156
I
F
@ t
C
= 100°c 二极管 持续的 向前 电流 42
I
FM
短的 电路 承受 时间 10 µs
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 350
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 140
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
IRG4PSH71KD
insulated 门 双极 晶体管 和
ultrafast 软 恢复 二极管
E
G
n-频道
C
V
CES
= 1200v
V
ce(在) 典型值
= 2.97v
@V
GE
= 15v, i
C
= 42a
短的 电路 评估
ultrafast igbt
5/11/99
初步的
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt ––– ––– 0.36
R
θ
JC
接合面-至-情况 - 二极管 ––– ––– 0.69 °c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 ––– 0.24 –––
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载 ––– ––– 38
推荐 clip 强迫 20.0(2.0) ––– ––– n (kgf)
重量 ––– 6 (0.21) ––– g (oz)
绝对 最大 比率
W
热的 resistance\ 机械的
pd - 91688a
特性
益处
www.irf.com 1
• 孔-较少 clip/压力 挂载 包装 兼容
和 至-247 和 至-264, 和 reinforced 管脚
• 高 短的 电路 比率 igbts, 优化 为
motorcontrol
• 最小 切换 losses 联合的 和 低
传导 losses
• tightest 参数 分发
• igbt co-packaged 和 ultrafast 软 恢复
antiparallel 二极管
• creepage 距离 增加 至 5.35mm
• 最高的 电流 比率 copack igbt
• 最大 电源 密度, 两次 这 电源
处理 的 这 至-247, 较少 空间 比 至-264
• hexfred
TM
二极管 优化 为 运作 和
igbt, 至 降低 emi, 噪音 和 切换 losses
超级的 - 247
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