3-71
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
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|
版权
©
intersil 公司 1999
HGTG20N50C1D
20a, 500v n-频道 igbt
和 反对-并行的 ultrafast 二极管
特性
• 20a, 500v
• 获得 自由 运作
• 典型 下降 时间 < 500ns
• 高 输入 阻抗
• 低 传导 丧失
• 和 反对-并行的 二极管
•t
RR
< 60ns
描述
这 igbt 是 一个 mos gated 高 电压 切换 设备
结合 这 最好的 特性 的 mosfets 和 双极
晶体管. 这 设备 有 这 高 输入 阻抗 的 一个
场效应晶体管 和 这 低 在-状态 传导 丧失 的 一个 双极
晶体管. 这 更 更小的 在-状态 电压 漏出 varies 仅有的
moderately 在 +25
o
c 和 +150
o
c. 这 二极管 使用 在
并行的 和 这 igbt 是 一个 ultrafast (t
RR
< 60ns) 和 软
恢复 典型的.
igbts 是 完美的 为 许多 高 电压 切换 产品
运行 在 发生率 在哪里 低 传导 losses 是
essential, 此类 作: 交流 和 直流 发动机 控制, 电源
供应 和 驱动器 为 solenoids, 接转 和 contractors.
包装 有效性
部分 号码 包装 BRAND
HGTG20N50C1D 至-247 G20N50C1D
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码.
april 1995
包装
电子元件工业联合会 样式 至-247
终端 图解
集电级
门
集电级
发射级
(bottom 一侧
metal)
C
G
E
绝对 最大 比率
T
C
= +25
o
c, 除非 否则 specified
HGTG20N50C1D 单位
集电级-发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV
CES
500 V
集电级-门 电压 r
GE
= 1m
Ω
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV
CGR
500 V
集电级 电流 持续的 在 t
C
= +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .i
C25
26 一个
在 t
C
= +90
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .i
C90
20 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
35 一个
门-发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GES
±
20 V
二极管 向前 电流 在 t
C
= +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I
F25
26 一个
在 t
C
= +90
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I
F90
20 一个
电源 消耗 总的 在 t
C
= +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
75 W
电源 消耗 减额 t
C
> +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8 w/
o
C
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 +150
o
C
最大 含铅的 温度 为 焊接 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
260
o
C
便条: 1. T
J
= +150
o
c, 最小 r
GE
= 25
Ω
没有 获得
intersil 公司 igbt 产品 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,364,073 4,417,385 4,430,792 4,443,931 4,466,176 4,516,143 4,532,534 4,567,641
4,587,713 4,598,461 4,605,948 4,618,872 4,620,211 4,631,564 4,639,754 4,639,762
4,641,162 4,644,637 4,682,195 4,684,413 4,694,313 4,717,679 4,743,952 4,783,690
4,794,432 4,801,986 4,803,533 4,809,045 4,809,047 4,810,665 4,823,176 4,837,606
4,860,080 4,883,767 4,888,627 4,890,143 4,901,127 4,904,609 4,933,740 4,963,951
4,969,027
文件 号码
2796.3
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