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资料编号:1034314
 
资料名称:NTMD6N03R2
 
文件大小: 74K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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NTMD6N03R2
http://onsemi.com
6
safe 运行 范围
这 向前 片面的 safe 运行 范围 曲线 定义
这 最大 同时发生的 drain−to−source 电压 和
流 电流 那 一个 晶体管 能 handle safely 当 它 是
向前 片面的. 曲线 是 为基础 在之上 最大 顶峰
接合面 温度 和 一个 情况 温度 (t
C
) 的 25
°
c.
顶峰 repetitive 搏动 电源 限制 是 决定 用 使用
这 热的 回馈 数据 在 conjunction 和 这 程序
discussed 在 an569, “transient 热的 阻抗 −
一般 数据 和 它的 使用.”
切换 在 这 off−state 和 这 on−state 将
traverse 任何 加载 线条 提供 neither 评估 顶峰 电流
(i
DM
) 也不 评估 电压 (v
DSS
) 是 超过, 和 那 这
转变 时间 (t
r
, t
f
) 做 不 超过 10
µ
s. 在 增加 这
总的 电源 averaged 在 一个 完全 切换 循环 必须
不 超过 (t
j(最大值)
− t
C
)/(r
θ
JC
).
一个 电源 场效应晶体管 designated e−fet 能 是 safely 使用
在 切换 电路 和 unclamped inductive 负载. 为
可依靠的运作, 这 贮存 活力 从 电路 电感
dissipated 在 这 晶体管 当 在 avalanche 必须 是 较少
比 这 评估 限制 和 必须 是 调整 为 运行
情况 differing从 那些 指定. 虽然 工业
实践 是 至 比率 在 条款 的 活力, avalanche 活力
能力 是 不 一个 常量. 这 活力 比率 减少
non−linearly 和 一个 增加 的 顶峰 电流 在 avalanche
和 顶峰 接合面 温度.
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
0.1
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
1
10
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
V
GS
= 12 v
单独的 脉冲波
T
一个
= 25
°
C
10
0.01
直流
10 ms
1.0
100
100
1.0 ms
0.1
图示 12. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
325
200
25
0
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
E
, 单独的 脉冲波 drain−to−source
avalanche 活力 (mj)
25 125 1501007550
100
125
250
I
D
= 6 一个
50
75
150
175
225
275
300
I
D
, 流 电流 (放大器)
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