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资料编号:1063851
 
资料名称:VP2410L
 
文件大小: 63125K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
VP2410L
2 Siliconix
s-52426—rev. c, 14-apr-97
规格
一个
限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
b
最大值 单位
静态的
损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= –5
一个 –240 –255
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= –10
一个 –255
V
门槛 电压 V
V
DS
= v
GS
, i
D
= –1 毫安 –2.1
V
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= –2.5 毫安
–0.8
–2.2
–2.5
身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
10
nagate-身体 泄漏 I
GSS
T
J
= 125
C
50
nA
电压 电流 I
DSS
V
DS
= –180 v, v
GS
= 0 v –1
azero 门 电压 流 电流 I
DSS
T
J
= 125
C –100
一个
在-状态 流 电流
c
I
d(在)
V
DS
= –10 v, v
GS
= –4.5 v –150 –300 毫安
V
GS
= –10 v, i
D
= –0.1 一个 6
流-源 在-阻抗
c
r
ds(在)
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –0.1 一个 8 10
T
J
= 125
C 14.5 20
向前 跨导
c
g
fs
V
DS
= –10 v, i
D
= –0.1 一个 125 175
mS
一般 源 输出 conductance
c
g
os
V
DS
= –10 v, i
D
= –0.05 一个 0.125
mS
动态
输入 电容 C
iss
V 25 V V 0V
65 95
输出 电容 C
oss
V
DS
=–25 v, v
GS
= 0 v
f = 1 mhz
25 30
pF
反转 转移 电容 C
rss
12 15
切换
d
t
25
转变-在 时间
t
d(在)
7 15
t
r

–25


01



18 30
ns
t
–0.1




90
ns
转变-止 时间
t
d(止)
45 70
t
f
45 60
注释
一个. T
一个
= 25
c 除非 否则 指出. VPDV24
b. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
c. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
d. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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