6.42
idt6116sa/la
cmos 静态的 内存 2k (16k x 8-位) 军队, 商业的, 和 在dustrial 温度 范围
9
我们
CS
注释:
1.
我们
或者
CS
必须 是 高 在 所有 地址 transitions.
2. 一个 写 occurs 在 这 overlap 的 一个 低
CS
和 一个 低
我们
.
3. t
WR
是 量过的 从 这 早期 的
CS
或者
我们
going 高 至 这 终止 的 这 写 循环.
4. 在 这个 时期, 这 i/o 管脚 是 在 这 输出 状态 和 这 输入 信号 必须 不 是 应用.
5. 如果 这
CS
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 之后 这
我们
低 转变, 这 输出 仍然是 在 这 高-阻抗 状态.
6. 转变 是 量过的 ±500mv 从 稳步的 状态.
7.
OE
是 continuously 高. 如果
OE
是 低 在 一个
我们
控制 写 循环, 这 写 脉冲波 宽度 必须 是 这 大 的 t
WP
或者 (t
WHZ
+ t
DW
) 至 准许 这 i/o 驱动器
至 转变 止 和 数据 至 是 放置 在 这 总线 为 这 必需的 t
DW
. 如果
OE
是 高 在 一个
我们
控制 写 循环, 这个 必要条件 做 不 应用 和 这 写 脉冲波
是 这 指定 t
WP
. 为 一个
CS
控制 写 循环,
OE
将 是 低 和 非 降级 至 t
CW
.
地址
数据
输出
CS
我们
数据
在
t
WC
t
AW
3089 drw 09
t
作
t
WHZ
(6)
(4)
t
DW
t
DH
(4)
t
OW
t
WR
t
CHZ
(6)
t
WP
(7)
(6)
PREVIOUS 数据 有效的
数据
有效的
数据 有效的
(3)
,
CS
我们
数据
在
t
WC
t
AW
t
CW
t
WR
(3)
t
DW
t
DH
t
作
3089 drw 10
数据 有效的
地址
,
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