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资料编号:1118807
 
资料名称:NTJD4152P
 
文件大小: 53K
   
说明
 
介绍:
Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTGS3443T1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出) (注释 4 &放大; 5)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−source 损坏 电压
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= −10
一个)
V
(br)dss
−20
Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
GS
= 0 vdc, v
DS
= −20 vdc, t
J
= 25
°
c)
(v
GS
= 0 vdc, v
DS
= −20 vdc, t
J
= 70
°
c)
I
DSS
−1.0
−5.0
模数转换器
gate−body 泄漏 电流
(v
GS
= −12
vdc, v
DS
= 0 vdc)
I
GSS
−100
nAdc
gate−body 泄漏 电流
(v
GS
= +12
vdc, v
DS
= 0 vdc)
I
GSS
100
nAdc
在 特性
门 门槛 电压
(v
DS
= v
GS
, i
D
= −250
模数转换器)
V
gs(th)
−0.60 −0.95 −1.50
Vdc
静态的 drain−source on−state 阻抗
(v
GS
= −4.5 vdc, i
D
= −4.4 模数转换器)
(v
GS
= −2.7 vdc, i
D
= −3.7 模数转换器)
(v
GS
= −2.5 vdc, i
D
= −3.5 模数转换器)
R
ds(在)
0.058
0.082
0.092
0.065
0.090
0.100
向前 跨导
(v
DS
= −10 vdc, i
D
= −4.4 模数转换器)
g
FS
8.8
mhos
动态 特性
输入 电容
C
iss
565 pF
输出 电容
(v
DS
= −5.0 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1.0 mhz)
C
oss
320 pF
反转 转移 电容
f = 1.0mhz)
C
rss
120 pF
切换 特性
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
10 25 ns
上升 时间
(v
DD
= −20 vdc, i
D
= −1.0 模数转换器,
t
r
18 45 ns
turn−off 延迟 时间
(v
DD
=−20 vdc,I
D
=−1.0 模数转换器,
V
GS
= −4.5 vdc, r
g
= 6.0
)
t
d(止)
30 50 ns
下降 时间 t
f
31 50 ns
总的 门 承担 Q
tot
7.5 15 nC
gate−source 承担
(v
DS
= −10 vdc, v
GS
= −4.5 vdc,
I
D
= −4.4 模数转换器)
Q
gs
1.4 nC
gate−drain 承担
I
D
=4.4模数转换器)
Q
gd
2.9 nC
body−drain 二极管 比率
二极管 向前 on−voltage
(i
S
= −1.7 模数转换器, v
GS
= 0 vdc) V
SD
−0.83 −1.2 Vdc
反转 恢复 时间 (i
S
= −1.7 模数转换器, di
S
/dt = 100 一个/
s) t
rr
30 ns
4. indicates 脉冲波 测试: p.w. = 300
秒 最大值, 职责 循环 = 2%.
5. 处理 预防措施 至 保护 相反 静电的 释放 是 mandatory.
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