adf4360-6
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绝对 最大 比率
表格 3. t
一个
= 25°c, 除非 否则 指出
参数 比率
AV
DD
至 gnd* −0.3 v 至 +3.9 v
AV
DD
至 dv
DD
−0.3 v 至 +0.3 v
V
VCO
至 地 −0.3 v 至 +3.9 v
V
VCO
至 av
DD
−0.3 v 至 +0.3 v
数字的 i/o 电压 至 地 −0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
相似物 i/o 电压 至 地 −0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
REF
在
至 地 −0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
运行 温度 范围
最大 接合面 温度 150°C
csp θ
JA
热的 阻抗
(paddle 焊接) 50°c/w
(paddle 不 焊接) 88°c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒) 215°C
infrared (15 秒) 220°C
*gnd = agnd = dgnd = 0 v.
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 rat-
ing 仅有的; 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的 sections
的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 maxi-
mum 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备
可靠性.
这个 设备 是 一个 高 效能 rf 整体的 电路 和 一个
静电释放 比率 的 <1 kv 和 它 是 静电释放 敏感的. 恰当的 预防措施
应当 是 带去 为 处理 和 组装.
晶体管 计数
12543 (cmos) 和 700 (双极)
静电释放 提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. electrostatic charges 作 高 作 4000 v readily accumulate 在 这
人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 和输出 发现. 虽然这个 产品 特性
专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 damage 将 出现 在 设备 subjected 至 高 活力
静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放预防措施 是 推荐 至 避免 效能
降级 或者 丧失 的 符合实际.