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资料编号:160066
 
资料名称:BAR81W
 
文件大小: 30.64K
   
说明
 
介绍:
Silicon RF Switching Diode Preliminary data (Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
dec-20-2002
2
bar81...
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
反转 电流
V
R
= 20 v
I
R
- - 20
nA
向前 电压
I
F
= 100 毫安
V
F
- 0.93 1 V
交流 特性
二极管 电容
V
R
= 1 v,
f
= 1 mhz
V
R
= 3 v,
f
= 1 mhz
C
T
-
-
0.6
0.57
1
0.9
pF
向前 阻抗
I
F
= 5 毫安,
f
= 100 mhz
r
f
- 0.7 1
承担 运输车 生命 时间
I
F
= 10 毫安,
I
R
= 6 毫安, 量过的 在
I
R
= 3 毫安,
R
L
= 100
rr
- 80 - ns
i-区域 宽度
W
I
- 3.5 - µm
调往 嵌入 丧失
1)
V
R
= 3 v,
f
= 1.89 ghz
|
S
21
|
2
- 0.7 - dB
调往 分开
1)
I
F
= 10 毫安 ,
f
= 1.89 ghz
|
S
21
|
2
- 30 -
配置 的 这 调往-二极管
- 一个 perfect 地面 是 essential 为 最佳的 分开
- 这 anode 管脚 应当 是 使用 作 passage 为 rf
1
为 更多 信息 请 谈及 至 应用 便条 049.
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