12月 1997 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 field-效应 晶体管 bf510 至 513
动态 特性
测量 情况 (一般 源):
V
DS
= 10 v; v
GS
= 0; t
amb
=25
°
C 为 bf510 和 bf511
V
DS
= 10 v; i
D
= 5 毫安; t
amb
=25
°
C 为 bf512 和 bf513
y-参数 (一般 源)
BF510 511 512 513
输入 电容 在 f = 1 mhz C
是
<
5555pF
输入 conductance 在 f = 100 mhz g
是
典型值 100 90 60 50
µ
S
反馈 电容 在 f = 1 mhz C
rs
典型值 0.4 0.4 0.4 0.4 pF
<
0.5 0.5 0.5 0.5 pF
转移 admittance 在 f = 1 khz
y
fs
>
2.5 4.0 4.0 3.5 mS
V
GS
= 0 instead 的 i
D
= 5 毫安
y
fs
> − −
6.0 7.0 mS
转移 admittance 在 f = 100 mhz
y
fs
典型值 3.5 5.5 5.0 5.0 mS
输出 电容 在 f = 1 mhz C
os
<
3333pF
输出 conductance 在 f = 1 mhz g
os
<
60 80 100 120
µ
S
输出 conductance 在 f = 100 mhz g
os
典型值 35 55 70 90
µ
S
噪音 figure
在 最佳的 源 admittance
G
S
= 1 ms;
−
B
S
= 3 ms;
f = 100 mhz F 典型值 1.5 1.5 1.5 1.5 dB
图.2 V
GS
= 0 为 bf510 和 bf511;
I
D
= 5 毫安 为 bf512 和 bf513;
f = 1 mhz; t
amb
= 25
°
c.
handbook, halfpage
0
典型值
20
1.5
0
0.5
1
C
rs
(pf)
V
DS
(v)
4 8 12 16
MDA275
图.3 V
DS
= 10 v; f = 1 khz; t
amb
=25
°
c; 典型
值.
handbook, halfpage
05
|
y
fs
|
(ms)
I
D
(毫安)
10 15
10
0
8
6
4
2
MDA276
BF511
BF510
BF512
BF513
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