1998 三月 11 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 17 ghz wideband 晶体管 BFG403W
特性
•
低 电流
•
非常 高 电源 增益
•
低 噪音 图示
•
高 转变 频率
•
非常 低 反馈 电容.
产品
•
pager front ends
•
rf front 终止
•
wideband 产品, e.g. 相似物 和 数字的 cellular
telephones, cordless telephones (phs, dect, 等.)
•
radar detectors.
描述
npn 翻倍 polysilicon wideband 晶体管 和 buried
layer 为 低 电压 产品 在 一个 塑料, 4-管脚
双-发射级 sot343r 包装.
固定
管脚 描述
1 发射级
2 根基
3 发射级
4 集电级
图.1 simplified 外形 sot343r.
标记 代号:
p3.
handbook, halfpage
顶 视图
MSB842
21
43
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
10 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
4.5 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
3 3.6 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
140
°
C
−−
16 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 3 毫安; v
CE
=2v; t
j
=25
°
C 5080120
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
=2v; f=1mhz
−
20
−
fF
f
T
转变 频率 I
C
= 3 毫安; v
CE
= 2 v; f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C
−
17
−
GHz
G
最大值
最大 电源 增益 I
C
= 3 毫安; v
CE
= 2 v; f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C
−
22
−
dB
F 噪音 figure I
C
= 1 毫安; v
CE
= 2 v; f = 900 mhz;
Γ
S
=
Γ
opt
−
1
−
dB
提醒
这个 产品 是 有提供的 在 反对-静态的 包装 至 阻止 损坏 造成 用 静电的 释放 在 运输
和 处理. 为 更远 信息, 谈及 至 飞利浦 规格.: snw-eq-608, snw-fq-302a 和 snw-fq-302b.
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