九月 1992 2
飞利浦 半导体 产品 规格
hf/vhf 电源 mos 晶体管 BLF175
特性
•
高 电源 增益
•
低 交调 扭曲量
•
容易 电源 控制
•
好的 热的 稳固
•
withstands 全部 加载 mismatch
•
金 敷金属 确保
极好的 可靠性.
描述
硅 n-频道 增强
模式 vertical d-mos 晶体管
设计 为 大 信号 放大器
产品 在 这 hf/vhf 频率
范围.
这 晶体管 有 一个 4-含铅的, sot123
flange 封套, 和 一个 陶瓷的 cap.
所有 leads 是 分开的 从 这 flange.
一个 标记 代号, 表明 门-源
电压 (v
GS
) 信息 是 提供
为 matched 一双 产品. 谈及
至 这 '一般' 部分 为 更远
信息.
固定 - sot123
管脚 描述
1 流
2 源
3 门
4 源
管脚 配置
提醒
这 设备 是 有提供的 在 一个 antistatic 包装. 这 门-源 输入 必须
是 保护 相反 静态的 承担 在 运输 和 处理.
警告
产品 和 自然环境的 安全 - toxic 材料
这个 产品 包含 beryllium oxide. 这 产品 是 全部地 safe 提供
那 这 beo disc 是 不 损坏. 所有 persons who handle, 使用 或者 dispose 的
这个 产品 应当 是 知道 的 它的 nature 和 的 这 需要 安全
预防措施. 之后 使用, dispose 的 作 化学的 或者 特定的 waste 符合 至
这 regulations 应用 在 这 location 的 这 用户. 它 必须 从不 是 thrown
输出 和 这 一般 或者 domestic waste.
图.1 simplified 外形 和 标识.
ook, halfpage
1
23
4
MSB057
s
d
g
MBB072
快 涉及 数据
rf 效能 在 t
h
= 25
°
C 在 一个 一般 源 测试 电路.
便条
1. 2-声调 效率.
模式 的
运作
f
(mh
Z
)
V
DS
(v)
I
DQ
(毫安)
P
L
(w)
G
P
(db)
η
D
(%)
d
3
(db)
类-一个 28 50 800 8 (pep)
>
24
−<−
40
类-ab 28 50 150 30 (pep) 典型值 24 典型值 40
(便条 1)
典型值
−
35
cw, 类-b 108 50 30 30 典型值 20 典型值 65
−
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