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九月 1992 3
飞利浦 半导体 产品 规格
hf/vhf 电源 mos 晶体管 BLF175
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
热的 阻抗
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
−
110 V
±
V
GS
门-源 电压
−
20 V
I
D
直流 流 电流
−
4A
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
mb
= 25
°
C
−
68 W
T
stg
存储 温度
−
65 150
°
C
T
j
接合面 温度
−
200
°
C
标识 参数 情况
热的
阻抗
R
th j-mb
热的 阻抗 从 接合面 至 挂载 根基 T
mb
= 25
°
c; p
tot
= 68 w 2.6 k/w
R
th mb-h
热的 阻抗 从 挂载 根基 至 散热器 T
mb
= 25
°
c; p
tot
= 68 w 0.3 k/w
图.2  直流 soar.
(1) 电流 是 这个 范围 将 是 限制 用 r
ds(在)
.
(2) T
mb
= 25
°
c.
handbook, halfpage
10
−
1
1
10
110
I
D
(一个)
V
DS
(v)
10
2
(1)
MRA905
(2)
图.3  电源/温度 减额 曲线.
(1) 持续的 运作.
(2) 短的-时间 运作 在 mismatch.
handbook, halfpage
0 40 80 160
100
0
80
MGP063
120
60
40
20
T
h
(
°
c)
(2)
(1)
P
tot
(w)

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九月 1992 3 飞利浦半导体产品规格 hf/vhf 电源 mos 晶体管 BLF175 限制的值在一致和这绝对最大系统 (iec 134). 热的阻抗标识参数情况最小值最大值单位 V DS 流-源电压 − 110 V ± V GS 门-源电压 − 20 V I D 直流流电流 − 4A P tot 总的电源消耗向上至 t mb = 25 ° C − 68 W T stg 存储温度 − 65 150 ° C T j 接合面温度 − 200 ° C 标识参数情况热的阻抗 R th j-mb 热的阻抗从接合面至挂载根基 T mb = 25 ° c; p tot = 68 w 2.6 k/w R th mb-h 热的阻抗从挂载根基至散热器 T mb = 25 ° c; p tot = 68 w 0.3 k/w 图.2 直流 soar. (1) 电流是这个范围将是限制用 r ds(在) . (2) T mb = 25 ° c. handbook, halfpage 10 − 1 1 10 110 I D (一个) V DS (v) 10 2 (1) MRA905 (2) 图.3 电源/温度减额曲线. (1) 持续的运作. (2) 短的-时间运作在 mismatch. handbook, halfpage 0 40 80 160 100 0 80 MGP063 120 60 40 20 T h ( ° c) (2) (1) P tot (w)

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