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1997 三月 13 5
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP030
特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0; i
D
=10
µ
A30
−−
V
V
GSth
门-源 门槛 电压 V
GS
=V
DS
; i
D
=1mA 1
−
2.8 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
GS
= 0; v
DS
=24V
−−
500 nA
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
=0
−−±
100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 4.5 v; i
D
= 2.5 一个
−−
0.05
Ω
V
GS
= 10 v; i
D
=5A
−−
0.03
Ω
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0; v
DS
=24v; f=1mhz
−
750
−
pF
C
oss
输出 电容 V
GS
= 0; v
DS
=24v; f=1mhz
−
450
−
pF
C
rss
反转 转移 电容 V
GS
= 0; v
DS
=24v; f=1mhz
−
200
−
pF
Q
g
总的 门 承担 V
GS
= 10 v; v
DD
= 15 v; i
D
=5a;
T
amb
=25
°
C
−
28
−
nC
Q
gs
门-源 承担 V
GS
= 10 v; v
DD
= 15 v; i
D
=5a;
T
amb
=25
°
C
−
2.5
−
nC
Q
gd
门-流 承担 V
GS
= 10 v; v
DD
= 15 v; i
D
=5a;
T
amb
=25
°
C
−
10.5
−
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
GS
= 0 至 10 v; v
DD
=15v;
I
D
= 1 一个; r
L
=15
Ω
; r
gen
=6
Ω
−
14
−
ns
t
f
下降 时间 V
GS
= 0 至 10 v; v
DD
=15v;
I
D
= 1 一个; r
L
=15
Ω
; r
gen
=6
Ω
−
18
−
ns
t
在
转变-在 切换 时间 V
GS
= 0 至 10 v; v
DD
=15v;
I
D
= 1 一个; r
L
=15
Ω
; r
gen
=6
Ω
−
32 60 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 V
GS
=10to0v; v
DD
=15v;
I
D
= 1 一个; r
L
=15
Ω
; r
gen
=6
Ω
−
29
−
ns
t
r
上升 时间 V
GS
=10to0v; v
DD
=15v;
I
D
= 1 一个; r
L
=15
Ω
; r
gen
=6
Ω
−
33
−
ns
t
止
转变-止 切换 时间 V
GS
=10to0v; v
DD
=15v;
I
D
= 1 一个; r
L
=15
Ω
; r
gen
=6
Ω
−
62 150 ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 二极管 向前 电压 V
GD
= 0; i
S
= 1.25 一个
−−
1V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 1.25 一个; di/dt =
−
100 一个/
µ
s
−
70
−
ns

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1997 三月 13 5 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP030 特性 T j =25 ° c; 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)dss 流-源损坏电压 V GS = 0; i D =10 µ A30 −− V V GSth 门-源门槛电压 V GS =V DS ; i D =1mA 1 − 2.8 V I DSS 流-源泄漏电流 V GS = 0; v DS =24V −− 500 nA I GSS 门泄漏电流 V GS = ± 20 v; v DS =0 −−± 100 nA R DSon 流-源在-状态阻抗 V GS = 4.5 v; i D = 2.5 一个 −− 0.05 Ω V GS = 10 v; i D =5A −− 0.03 Ω C iss 输入电容 V GS = 0; v DS =24v; f=1mhz − 750 − pF C oss 输出电容 V GS = 0; v DS =24v; f=1mhz − 450 − pF C rss 反转转移电容 V GS = 0; v DS =24v; f=1mhz − 200 − pF Q g 总的门承担 V GS = 10 v; v DD = 15 v; i D =5a; T amb =25 ° C − 28 − nC Q gs 门-源承担 V GS = 10 v; v DD = 15 v; i D =5a; T amb =25 ° C − 2.5 − nC Q gd 门-流承担 V GS = 10 v; v DD = 15 v; i D =5a; T amb =25 ° C − 10.5 − nC t d(在) 转变-在延迟时间 V GS = 0 至 10 v; v DD =15v; I D = 1 一个; r L =15 Ω ; r gen =6 Ω − 14 − ns t f 下降时间 V GS = 0 至 10 v; v DD =15v; I D = 1 一个; r L =15 Ω ; r gen =6 Ω − 18 − ns t 在转变-在切换时间 V GS = 0 至 10 v; v DD =15v; I D = 1 一个; r L =15 Ω ; r gen =6 Ω − 32 60 ns t d(止) 转变-止延迟时间 V GS =10to0v; v DD =15v; I D = 1 一个; r L =15 Ω ; r gen =6 Ω − 29 − ns t r 上升时间 V GS =10to0v; v DD =15v; I D = 1 一个; r L =15 Ω ; r gen =6 Ω − 33 − ns t 止转变-止切换时间 V GS =10to0v; v DD =15v; I D = 1 一个; r L =15 Ω ; r gen =6 Ω − 62 150 ns 源-流二极管 V SD 源-流二极管向前电压 V GD = 0; i S = 1.25 一个 −− 1V t rr 反转恢复时间 I S = 1.25 一个; di/dt = − 100 一个/ µ s − 70 − ns

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