BSP152_集成电路资料查询网

april 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP152
图.10 流-源 在-阻抗 作 一个 函数 的
门-源 电压, 典型 值.
V
DS
= 100 mv; t
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
1
10
100
0246810
R
ds(在)
(
Ω
)
MRC210
V
DS
(v)
图.11  soar 曲线.
δ
= 0.01; t
amb
= 25
°
c.
(1) R
DSon
限制.
handbook, halfpage
1
110
5
t
p
MRC212
(1)
直流
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
10
-1
10
-2
10
-3
10
2
10
µ
s
100
µ
s
1 ms
10 ms
100 ms
1 s
10
3
V
DS
(v)
I
D
(毫安)
图.12  瞬时 热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 作 一个 函数 的 脉冲波 时间.
handbook, 全部 pagewidth
1
10
10
t
p
(s)
1
MRC211
δ
=
0.75
0.5
0.1
0
0.05
0.01
0.02
0.2
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
R
th j-一个
(k/w)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
2
10
3
10
-1
10
2

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april 1995 6 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP152 图.10 流-源在-阻抗作一个函数的门-源电压, 典型值. V DS = 100 mv; t j = 25 ° c. handbook, halfpage 1 10 100 0246810 R ds(在) ( Ω ) MRC210 V DS (v) 图.11 soar 曲线. δ = 0.01; t amb = 25 ° c. (1) R DSon 限制. handbook, halfpage 1 110 5 t p MRC212 (1) 直流 t p T P t t p T δ = 10 -1 10 -2 10 -3 10 2 10 µ s 100 µ s 1 ms 10 ms 100 ms 1 s 10 3 V DS (v) I D (毫安) 图.12 瞬时热的阻抗从接合面至包围的作一个函数的脉冲波时间. handbook, 全部 pagewidth 1 10 10 t p (s) 1 MRC211 δ = 0.75 0.5 0.1 0 0.05 0.01 0.02 0.2 t p T P t t p T δ = R th j-一个 (k/w) 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 2 10 3 10 -1 10 2

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