19.05.2000
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bts 133
块 diagramm
条款 inductive 和 超(电)压 输出 clamp
HITFET
在
D
V
在
I
D
V
DS
1
I
在
S
V
bb
R
L
2
3
HITFET
V
Z
D
S
短的 电路 behaviour
V
在
I
D
I
d(scp)
t 0 tm
t 2
I
d(lim)
t 1
输入 电路 (静电释放 保护)
在
静电释放-zd
I
源
静电释放 齐纳 二极管 是 不 设计
为 直流 电流 > 2 毫安 @
V
在
>10v.
t
0
: 转变 在 在 一个 短的 电路
t
m
: measurementpoint 为
I
d(lim)
t
1
: 触发 的 这 快 温度 传感器 和
规章制度 的 这 流 电流 至 一个 水平的 在哪里
这 接合面 温度 仍然是 常量.
t
2
: 热的 关闭 造成 用 这 第二
温度 传感器, 达到 用 一个
integrating 度量.