飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 but11apx-1200
分开 限制的 值 &放大; 典型的
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
isol
r.m.s. 分开 电压 从 所有 f = 50-60 hz; sinusoidal - - 2500 V
三 terminals 至 外部 波形;
散热器 r.h.
≤
65% ; clean 和 dustfree
C
isol
电容 从 t2 至 外部 f = 1 mhz - 10 - pF
散热器
静态的 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流
1
V
是
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
- - 1.0 毫安
I
CES
V
是
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
; - - 2.0 毫安
T
j
= 125 ˚c
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 7 v; i
C
= 0 一个 - - 0.1 毫安
V
CEOsust
集电级-发射级 sustaining 电压 I
B
= 0 一个; i
C
= 10 毫安; 550 - - V
l = 25 mh
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 2.0 一个; i
B
= 0.4 一个 - 0.15 1.0 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 2.0 一个; i
B
= 0.4 一个 - 0.91 1.5 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1 毫安; v
CE
= 5 v 13 25 -
h
FE
I
C
= 500 毫安; v
CE
= 5 v 20 30 47
h
FEsat
直流 电流 增益 I
C
= 2 一个; v
CE
= 5 v 13 18.5 25
h
FEsat
I
C
= 3.0 一个; v
CE
= 5 v - 15.5 -
动态 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 specified8
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
切换 时间 (resistive 加载) I
Con
= 2.5 一个; i
Bon
= -i
Boff
= 0.5 一个;
R
L
= 75 ohms; v
BB2
= 4 v;
t
在
转变-在 时间 - 0.5
µ
s
t
s
转变-止 存储 时间 - 3
µ
s
t
f
转变-止 下降 时间 - 0.3
µ
s
切换 时间 (inductive 加载) I
Csat
= 2.5 一个; i
B1
= 0.5 一个; l
B
= 1
µ
h;
-v
BB
= 5 v
t
s
转变-止 存储 时间 - 1.5
µ
s
t
f
转变-止 下降 时间 170 300 ns
切换 时间 (inductive 加载) I
Csat
= 2.5 一个; i
B1
= 0.5 一个; l
B
= 1
µ
h;
-v
BB
= 5 v; t
j
= 100 ˚c
t
s
转变-止 存储 时间 - 1.8
µ
s
t
f
转变-止 下降 时间 - 300 ns
1
量过的 和 half sine-波 电压 (曲线 tracer).
april 1999 2 rev 1.000
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