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fn9075.7
july 25, 2005
热的 管理
为 最大 热的 performance 在 高 电流, 高
切换 频率 applications, 连接 这 热的
垫子 的 这 qfn 部分 至 这 电源 地面 和 一个 通过, 或者
放置 一个 低 噪音 铜 plane underneath 这 soic 部分
是 推荐. 这个 热温 spreading 准许 这 部分 至
达到 它的 全部 热的 潜在的.
suppressing 场效应晶体管 门 泄漏
和 vcc 在 地面 potential, ugate 和 lgate 是 高
阻抗. 在 这个 状态, 任何偏离 泄漏 有 这 潜在的
至 deliver 承担 至也 门. 如果 ugatereceives sufficient
承担 至 偏差 这 设备 在 (便条: 内部的 电路系统 阻止
泄漏 电流 从 charging 在之上 1.8v), 一个 低
阻抗 path 将 是 连接 在 这 场效应晶体管
流 和 阶段. 如果 这 输入电源 供应 是 呈现 和
起作用的, 这 系统 可以 看 potentially 损害的 电流.
worst-情况 泄漏 电流 是 在 这 顺序 的 pico-放大器;
因此, 一个 10k
Ω
电阻, 连接 从 ugate 至
阶段, 是 更多 比 sufficient至 bleed 止 任何 偏离 泄漏
电流. 这个 电阻 将 不 影响 这 正常的 效能
的 这 驱动器 或者 减少 它的 效率.
ISL6207
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