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资料编号:201740
 
资料名称:TE28F160C3T110
 
文件大小: 384.02K
   
说明
 
介绍:
3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3 volt advanced+ 激励 块
E
14
产品 预告(展)
3.2.5 程序 模式
程序编制 是 executed 使用 一个 二
-
写 至 这 cui followed 用 一个 第二 写 这个
specifies 这 地址 和 数据 至 是 编写程序.
这 wsm 将 execute 一个 sequence 的 内部
安排时间 events 至 程序 desired 位 的 这
addressed location, 然后 核实 这 位 是
sufficiently 编写程序. 程序编制 这 记忆
结果 在 明确的 位 在里面 一个 地址 location
正在 changed 至 一个
“0.” 如果 这 用户 attempts 至
程序 “1”s, 这 记忆 cell 内容 做 不
改变 和 非 错误 occurs.
这 状态 寄存器 indicates 程序编制 状态:
当 这 程序 sequence executes, 状态 位 7
是 “0.” 这 状态 寄存器 能 是 polled 用 toggling
也 ce# 或者 oe#. 当 程序编制, 这 仅有的
有效的 commands 是 读 状态 寄存器,
程序 suspend, 和 程序 重新开始.
当 程序编制 是 完全, 这 程序
状态 位 应当 是 审查. 如果 这 程序编制
运作 是 unsuccessful, 位 sr.4 的 这 状态
寄存器 是 设置 至 表明 一个 程序 失败. 如果 sr.3
是 设置 然后 v
PP
是 不 在里面 可接受的 限制, 和
这 wsm did 不 execute 这 程序 command. 如果
sr.1 是 设置, 一个 程序 运作 是 attempted 在
一个 锁 块 和 这 运作 是 aborted.
这 状态 寄存器 应当 是 cleared 在之前
attempting 这 next 运作. 任何 cui 操作指南
能 follow 之后 程序编制 是 完成;
不管怎样, 至 阻止 inadvertent 状态 寄存器
读, 是 确信 至 重置 这 cui 至 读 排列 模式.
3.2.5.1 suspending 和 resuming
程序
这 程序 suspend command halts 一个 在
-
progress 程序 运作 所以 那 数据 能 是
读 从 其它 locations 的 记忆. once 这
程序编制 处理 开始, writing 这 程序
suspend command 至 这 cui requests 那 这
wsm suspend 这 程序 sequence (在
predetermined 点 在 这 程序 algorithm).
这 设备 持续 至 输出 状态 寄存器 数据
之后 这 程序 suspend command 是 写.
polling 状态 寄存器 位 sr.7 和 sr.2 将
决定 当 这 程序 运作 有 被
suspended (两个都 将 是 设置 至 “1”). t
WHRH1
/t
EHRH1
具体说明 这 程序 suspend latency.
一个 读 排列 command 能 now 是 写 至 这
cui 至 读 数据 从 blocks 其它 than 那 这个
是 suspended. 这 仅有的 其它 有效的 commands,
当 程序 是 suspended, 是 读 状态
寄存器, 读 配置, 读 query, 和
程序 重新开始. 之后 这 程序 重新开始
command 是 写 至 这 flash 记忆, 这 wsm
将 continue 和 这 程序编制 处理 和
状态 寄存器 位 sr.2 和 sr.7 将 automatically
是 cleared. 这 设备 automatically 输出 状态
寄存器 数据 当 读 (看 图示 13 在 附录
b,
程序 suspend/重新开始 flowchart
) 之后 这
程序 重新开始 command 是 写. v
PP
必须
仍然是 在 这 一样 v
PP
水平的 使用 为 程序
当 在 程序 suspend 模式. rp# 必须 也
仍然是 在 v
IH
.
3.2.6 擦掉 模式
至 擦掉 一个 块, 写 这 擦掉 设置
-
向上 和 擦掉
confirm commands 至 这 cui, along 和 一个
地址 identifying 这 块 至 是 erased. 这个
地址 是 latched 内部 当 这 擦掉
confirm command 是 issued. 块 erasure 结果
在 所有 位 在里面 这 块 正在 设置 至 “1.” 仅有的 一个
块 能 是 erased 在 一个 时间. 这 wsm 将
execute 一个 sequence 的 内部 安排时间 events 至
程序 所有 位 在里面 这 块 至 “0,” 擦掉 所有 位
在里面 这 块 至 “1,” 然后 核实 那 所有 位 在里面
这 块 是 sufficiently erased. 当 这 擦掉
executes, 状态 位 7 是 一个“0.”
当 这 状态 寄存器 indicates 那 erasure 是
这 擦掉 运作 是 successful. 如果 这 擦掉
运作 是 unsuccessful, sr.5 的 这 状态
寄存器 将 是 设置 至 一个 “1,” 表明 一个 擦掉
失败. 如果 v
PP
是 不 在里面 可接受的 限制 之后
这 擦掉 confirm command 是 issued, 这 wsm
将 不 execute 这 擦掉 sequence; instead, sr.5
的 这 状态 寄存器 是 设置 至 表明 一个 擦掉
错误, 和 sr.3 是 设置 至 一个 “1” 至 identify 那 v
PP
供应 电压 是 不 在里面 可接受的 限制.
之后 一个 擦掉 运作, clear 这 状态 寄存器
(50h) 在之前 attempting 这 next 运作. 任何
cui 操作指南 能 follow 之后 erasure 是
完成; 不管怎样, 至 阻止 inadvertent 状态
寄存器 读, 它 是 明智 至 放置 这 flash 在
读 排列 模式 之后 这 擦掉 是 完全.
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