3 volt advanced+ 激励 块
E
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产品 预告(展)
表格 2. 3 volt advanced+ 激励 块 管脚 描述
(持续)
标识 类型 名字 和 函数
V
CCQ
输入
i/o 电源 供应:
供应 电源 为 输入/输出 缓存区.
[2.7 v
–3.6 v] 这个 输入 应当 是 系 直接地 至 v
CC
.
[1.65 v– 2.5 v] 更小的 i/o 电源 供应 电压 有 在之上 要求.
联系 your intel 代表 为 更多 信息.
V
PP
输入/
供应
程序/擦掉 电源 供应:
[1.65 v–3.6 v 或者 11.4 v–12.6 v]
运作 作 一个 输入 在 逻辑 水平 至 控制 完全 设备 保护.
供应 电源 为 accelerated 程序 和 擦掉 行动 在 12 v
±
5% 范围. 这个 管脚 不能 是 left floating.
更小的
V
PP
≤
V
PPLK
, 至 保护 所有 内容
相反 程序 和
擦掉 commands.
设置 v
PP
= v
CC
为 在-系统 读, 程序 和 擦掉 行动
. 在
这个 配置, v
PP
能 漏出 作 低 作 1.65 v 至 准许 为 电阻 或者
二极管 漏出 从 这 系统 供应. 便条 那 如果 v
PP
是 驱动 用 一个 逻辑
信号, v
ih =
1.65. 那 是, v
PP
必须 仍然是 在之上 1.65v 至 执行 在-
系统 flash 修改.
raise v
PP
至 12 v
±
5% 为 faster 程序 和 擦掉
在 一个 生产
环境. 应用 12 v
±
5% 至 v
PP
能 仅有的 是 完毕 为 一个
最大 的 1000 循环 在 这 主要的 blocks 和 2500 循环 在 这
参数 blocks.
V
PP
将 是 连接 至 12 v 为 一个 总的 的 80 小时
最大. 看 部分 3.4 为 详细信息 在 v
PP
电压 配置.
地 供应
地面:
为 所有 内部的 电路系统. 所有 地面 输入
必须
是
连接.
NC
非 连接:
管脚 将 是 驱动 或者 left floating.
2.2 块 organization
这 3 volt advanced+ 激励 块 是 一个
asymmetrically-blocked architecture 那 使能
系统 integration 的 code 和 数据 在里面 一个 单独的
flash 设备. 各自 块 能 是 erased
independently 的 这 其他 向上 至 100,000 时间.
为 这 地址 locations 的 各自 块, 看 这
记忆 maps 在 附录 e 和 f.
2.2.1 参数 blocks
这 3 volt advanced+ 激励 块 flash 记忆
architecture 包含 参数 blocks 至 facilitate
存储 的 frequently updated 小 参数
(i.e., 数据 那 将 正常情况下 是 贮存 在 一个
可擦可编程只读存储器). 各自 设备 包含 第八 参数
blocks 的 8-kbytes/4-kwords (8,192 字节/4,096
words).
2.2.2 主要的 blocks
之后 这 参数 blocks, 这 remainder 的 这
排列 是 分隔 在 equal 大小 (64-kword/32-
kword; 65,536 字节/32,768 words) 主要的 blocks 为
数据 或者 代号 存储. 各自 8-mbit, 16-mbit, 或者
32-mbit 设备 包含 15, 31, 或者 63 主要的 blocks,
各自.
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