3
电的 规格 (t
一个
= 25
˚
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
向前 电压 V
F
–1.21.4vi
F
= 20 毫安
反转 电流 I
R
––10
µ
AV
R
= 4 v
终端 电容 C
t
– 30 250 pF v = 0, f = 1 khz
集电级 dark 电流 I
CEO
– – 100 nA V
CE
= 20 v
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
80––VI
C
= 0.1 毫安, i
F
= 0
发射级-集电级 损坏 电压 BV
ECO
6––VI
E
= 10
µ
一个, i
F
= 0
集电级 电流 I
C
2.5 – 30 毫安 I
F
= 5 毫安, v
CE
= 5 v
*current 转移 比率 CTR 50 – 600 %
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
––0.2vi
F
= 20 毫安, i
C
= 1 毫安
回馈 时间 (上升) t
r
–418
µ
sV
CC
= 2 v, i
C
= 2 毫安
回馈 时间 (下降) t
f
–318
µ
sR
L
= 100
Ω
分开 阻抗 R
iso
5 x 10
10
1 x 10
11
–
Ω
直流 500 v
40 ~ 60% r.h.
floating 电容 C
f
– 0.6 1.0 pF v = 0, f = 1 mhz
图示 1. 向前 电流 vs. 温度. 图示 2. 集电级 电源 消耗 vs.
温度.
图示 3. 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 向前 电流.
I
F
–
向前 电流
–
毫安
0
T
一个
–
包围的 温度
–
°
C
75 125
50
25
10
40
0 50 100-55
60
30
20
P
C
–
集电级 电源 消耗
–
mW
0
T
一个
–
包围的 温度
–
°
C
100
50
200
150
75 125250 50 100-55
0
I
F
–
向前 电流
–
毫安
10 15
2
50
1
3
4
5
6
V
ce(sat.)
–
集电级-发射级
饱和 电压
–
V
T
一个
= 25
°
C
I
C
= 0.5 毫安
I
C
= 1 毫安
I
C
= 3 毫安
I
C
= 5 毫安
I
C
= 7 毫安
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
˚
c)
存储 温度, t
S
–55˚c 至 +155˚c
运行 温度, t
一个
–55˚c 至 +100˚c
含铅的 焊盘 温度, 最大值 260˚c 为 10 s
(1.6 mm 在下 seating 平面)
平均 向前 电流, i
F
50 毫安
反转 输入 电压, v
R
6 v
输入 电源 消耗, p
I
70 mw
集电级 电流, i
C
50 毫安
集电级-发射级 电压, v
CEO
80 v
发射级-集电级 电压, v
ECO
6 v
集电级 电源 消耗 150 mw
总的 电源 消耗 170 mw
分开 电压, v
iso
3750 电压有效值
(交流 为 1 分钟, r.h. = 40 ~ 60%)
* ctr = x 100%
I
C
I
F
分级 mark ctr (%) 情况
一个 80 ~ 160 I
F
= 5 毫安,
B 130 ~ 260
C 200 ~ 400
D 300 ~ 600
V
CE
= 5 v, t
一个
= 25
˚
C
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