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快 激励 块 数据手册
5
产品 预告(展)
1.0 介绍
这个 数据手册 包含 8- 和 16-mbit 快 激励
块 记忆 信息. 部分 1.0 提供 一个
flash 记忆 overview. sections 2.0 通过 8.0
describe 这 记忆 符合实际 和 电的
规格 为 扩展 和 automotive
温度 产品 offerings.
1.2 产品 overview
这 快 激励 块 flash 记忆 家族 提供
密度 升级 和 引脚 兼容性 为 8- 和
16-mbit densities. 这个 家族 的 产品 是 高
效能, 低 电压 memories 和 一个 16-位
数据 总线 和 individually 可擦掉的 blocks. 这些
blocks 是 optimally sized 为 code 和 数据
存储. 第八 4-kword 参数 blocks 是
positioned 在 也 这 顶 (denoted 用 -t 后缀) 或者
bottom (denoted 用 -b 后缀) 的 这 地址 编排.
这 rest 的 这 设备 是 grouped 在
32-kword 主要的 blocks. 这upper 二 (或者 更小的
二) 参数 和 所有 主要的 blocks 能 是 锁
为 完全 代号 保护.
这 设备的 优化 architecture 和 接口
dramatically 增加 读 效能 在之外
先前 attainable 水平. 它 支持
异步的 页-模式 和 同步的 burst
读 从 主要的 blocks (参数 blocks support
单独的 异步的 和 同步的 读).
在之上 最初的 电源-向上 或者 返回 从 重置, 这
设备 defaults 至 一个 页-模式 读 配置.
页-模式 读 配置 是 完美的 为 非-时钟
记忆 系统和 是 兼容 和 页-
模式 只读存储器. 同步的 burst 读 是 使能
用 writing 至 这 读 配置 寄存器. 在
同步的 burst 模式, 这 clk 输入 increments
一个 内部的 burst 地址 发生器, synchronizes
这 flash 记忆 和 这 host cpu, 和 输出
数据 在 每 rising (或者 下落) clk 边缘 向上 至
54 mhz (25 mhz 为 automotive 温度). 一个
输出 信号, wait#, 是 也 提供 至 使容易 cpu
至 flash 记忆 交流 和
同步 在 持续的 burst 行动.
在 增加 至 这 增强 architecture 和
接口, 这个 家族 的 产品 包含
smartvoltage 技术 这个 使能 快 工厂
程序编制 和 低 电源 设计. specifically
设计 为 低 电压系统, 快 激励 块
flash 记忆 组件 支持 读 行动
在 2.7 v (3.3 v 为 automotive 温度) v
CC
和
块 擦掉 和 程序 行动 在 2.7 v
(3.3 v 为 automotive 温度) 和 12 v v
PP
.
这 12 v v
PP
选项 renders 这 fastest 程序
效能 至 增加 工厂 程序编制
throughput. 和 这 2.7 v (3.3 v 为 automotive
温度) v
PP
选项, v
CC
和 v
PP
能 是 系
一起 为 一个 简单的, 低 电源 设计. 在 增加
至 这 电压 flexibility, 这 专心致志的 v
PP
管脚 给
完全 数据 保护 当 v
PP
≤
V
PPLK
.
这 有伸缩性的 输入/输出 (i/o) 电压 能力
helps 减少系统 电源 消耗量 和
使简化 接合 至 sub 2.7 v 和 5 v cpus.
powered 用 v
CCQ
管脚, 这 i/o 缓存区 能 运作
在 一个 更小的 电压 比 这 flash 记忆 核心. 和
V
CCQ
电压 在 1.65 v, 这 i/os 摆动 在
地 和 1.65 v, 减少 i/o 电源 消耗量
用 65% 在 标准 3 v flash 记忆
组件. 这 低 电压 和 5 v-safe 特性
也 helps 使容易 cpu 接合 用 adapting 至 这
cpu’s 总线 电压.
这 设备的 command 用户 接口 (cui) serves
作 这 接口 在 这系统 处理器 和
内部的 flash 记忆 运作. 一个 有效的 command
sequence 写 至 这 cui initiates 设备
automation. 这个 automation 是 控制 用 一个
内部的 写 状态 机器 (wsm) 这个
automatically executes 这 algorithms 和 timings
需要 为 块 擦掉 和 程序 行动.
这 状态 寄存器 提供 wsm 反馈 用
signifying 块 擦掉 或者 程序 completion 和
状态.
块 擦掉 和 程序 automation 准许 擦掉
和 程序 行动 至 是 executed 使用 一个
工业-标准 二-写 command sequence. 一个
块 擦掉 运作 erases 一个 块 在 一个 时间,
和 数据 是 编写程序 在 文字 increments. 擦掉
suspend 准许系统 软件 至 suspend 一个
ongoing 块 擦掉 运作 在 顺序 至 读 从
或者 程序 数据 至 任何 其它 块. 程序
suspend 准许系统 软件 至 suspend 一个
ongoing 程序 运作 在 顺序 至 读 从
任何 其它 location.
快 激励 块 flash 记忆 设备 提供 二 低
电源 savings 特性: 自动 电源 savings
(aps) 和 备用物品 模式. 这 设备 automatically
enters aps 模式 下列的 这 completion 的 一个 读
循环. standby 模式 是 initiated 当 这系统
deselects 这 设备 用 驱动 ce# inactive 或者
rst# 起作用的. rst# 也 resets 这 设备 至 读
排列, 提供 写 保护, 和 clears 这
状态 寄存器. 联合的, 这些 二 特性
significantly 减少 电源 消耗量.
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