E
快 激励 块 数据手册
9
产品 预告(展)
表格 1. 管脚 描述
Sym 类型 名字 和 函数
V
PP
供应
块 擦掉 和 程序 电源 供应 (2.7 v
–3.6 v,
11.4 v–12.6 v):
为 erasing 排列 blocks 或者 程序编制 数据, 一个 有效的 电压
必须 是 应用 至 这个 管脚. 和 v
PP
≤
V
PPLK
, 记忆 内容 不能 是 改变.
块 擦掉 和 程序 和 一个 invalid v
PP
电压 应当 不 是 attempted.
应用 11.4
V
–12.6 v 至 v
PP
能 仅有的 是 完毕 为 一个 最大 的 1000 循环 在
主要的 blocks 和 2500 循环 在 这 参数 blocks.
V
PP
将 是 连接 至
12 v 为 一个 总的 的 80 小时 最大 (看 部分 6.0 为 详细信息).
V
CC
供应
设备 电源 供应 (2.7 v
–3.6 v):
和 v
CC
≤
V
LKO
, 所有 写 attempts 至
这 flash 记忆 是 inhibited. 设备 行动 在 invalid v
CC
电压 应当
不 是 attempted.
V
CCQ
供应
输出 电源 供应 (1.65 v–2.5 v, 2.7 v–3.6 v):
使能 所有 输出 至 是
驱动 至 1.65
v 至 2.5 v 或者 2.7 v 至 3.6 v. 当 v
CCQ
相等 1.65 v
–2.5 v, v
CC
电压 必须 不 超过 3.3 v 和 应当 是 管制 至 2.7 v–2.85 v 至 达到
最低 电源 运作 (看
直流 特性
为 详细地 信息).
这个 输入 将 是 系 直接地 至 v
CC
.
地 供应
地面:
做 不 float 任何 地面 管脚.
NC
非 连接:
含铅的 是 不 内部 连接; 它 将 是 驱动 或者 floated.
2.3 记忆 blocking organization
这 快 激励 块 flash 记忆 家族 是 一个
asymmetrically-blocked architecture 那 使能
系统 integration 的 code 和 数据 在里面 一个 单独的
flash 设备. 为 这 地址 locations 的 各自
块, 看 这 记忆 maps 在 图示 3 (顶 激励
blocking) 和 图示 4 (bottom 激励 blocking).
2.3.1 参数 blocks
这 快 激励 块 flash 记忆 architecture
包含 参数 blocks 至 facilitate 贮存age 的
frequently updated 小 参数 那 将
正常情况下 是 贮存 在 一个 可擦可编程只读存储器. 用 使用
软件 技巧, 这 文字-rewrite 符合实际
的 eeproms 能 是 emulated. 各自 8- 和
16-mbit 设备 包含 第八 4-kwords
(4,096-words) 参数 blocks.
2.3.2 主要的 blocks
之后 这 参数 blocks, 这 remainder 的 这
排列 是 分隔 在 equal 大小 主要的 blocks 为 代号
和/或者 数据 存储. 这 8-mbit 设备 包含
fifteen 32-kword (32,768-文字) 主要的 blocks, 和
这 16-mbit 设备 包含 thirty-一个 32-kword
(32,768-文字) 主要的 blocks.
: 点此下载
