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资料编号:290039
 
资料名称:EDS2532EEBH-75
 
文件大小: 718.9K
   
说明
 
介绍:
256M bits SDRAM (8M words x 32 bits)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
eds2532eebh-75
初步的 数据 薄板 e0639e50 (ver. 5.0)
5
直流 特性 1 (ta = 0
°
c 至 +70
°
c, vdd, vddq = 1.8v ± 0.1v, vss, vssq = 0v)
参数
/cas latency 标识 等级 最大值 单位 测试 情况 注释
运行 电流 IDD1 80 毫安
burst 长度 = 1
trc = trc (最小值.)
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
1, 2, 3
备用物品 电流 在 电源 向下 IDD2P 3 毫安
CKE
0.3v,
tck = tck (最小值.)
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
6
备用物品 电流 在 电源 向下
(输入 信号 稳固的)
IDD2PS 2 毫安
CKE
0.3v, tck =
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
7
备用物品 电流 在 非 电源 向下 IDD2N 20 毫安
cke, /cs = vih,
tck = tck (最小值.)
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
4
备用物品 电流 在 非 电源 向下
(输入 信号 稳固的)
IDD2NS 9 毫安
cke = vih, tck =
,
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
8
起作用的 备用物品 电流 在 电源 向下 IDD3P 4 毫安
CKE
vil,
tck = tck (最小值.)
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
1, 2, 6
起作用的 备用物品 电流 在 电源 向下
(输入 信号 稳固的)
IDD3PS 3 毫安
CKE
vil, tck =
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
2, 7
起作用的 备用物品 电流 在 非 电源 向下 IDD3N 20 毫安
cke, /cs = vih,
tck = tck (最小值.)
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
1, 2, 4
起作用的 备用物品 电流 在 非 电源 向下
(输入 信号 稳固的)
IDD3NS 15 毫安
cke = vih, tck =
,
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
2, 8
burst 运行 电流 IDD4 90 毫安
tck = tck (最小值.),
bl = 4
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
1, 2, 5
refresh 电流 IDD5 180 毫安
trc = trc (最小值.)
VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
3
自 refresh 电流 IDD6 3 毫安 VIL
0.3v, vih
0.8v
×
VDD
注释: 1. idd 取决于 在 输出 加载 c
打开 情况.
2. 一个 bank 运作.
3. 输入 信号 是 changed once 每 一个 时钟.
4. 输入 信号 是 changed once 每 二 clocks.
5. 输入 信号 是 changed once 每 四 clocks.
6. 之后 电源 向下 模式, clk 运行 电流.
7. 之后 电源 向下 模式, 非 clk 运行 电流.
8. 输入 信号 are vih 或者 vil fixed.
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