january 1995 7
飞利浦 半导体 产品 规格
频率 synthesizer
HEF4750V
LSI
图.6 阶段 典型的 的 pc
2
.
strobe 函数
这 strobe 函数 是 将 为 产品 需要
极其 快 锁 时间. 在 正常的 运作 这
额外的 strobe 输入 (stb) 能 是 连接 至 这
v-输入 和 这 电路 将 函数 作 描述 在 这
previous sections.
在 单独的, 阶段-锁-循环 类型 频率 synthesizers,
这 comparison 频率 一般地 使用 是 也 这
名义上的 频道 间隔 或者 一个 sub-多样的. pc2 runs 在
这 高等级的 频率 (一个 高等级的 涉及 频率 必须
也 是 使用), whilst strobing takes 放置 在 这 更小的
频率, 因此 获得 一个 decrease 在 锁 时间. 在 一个
系统 使用 这 普遍的 分隔物 hef4751v, 这 输出
ofs 循环 在 这 更小的 频率, 这 输出 止 循环
在 这 高等级的 频率.
输出-的-锁 函数
那里 是 一个 号码 的 situations 在 这个 这 系统 变得
从 这 锁 至 这 输出-的-锁 状态 (ol 变得 高):
1. 当 v’ leads r, 不管怎样 输出 的 这 范围 的 pc1.
2. 当 r leads v’.
3. 当 一个 r-脉冲波 是 missing.
4. 当 一个 v-脉冲波 是 missing.
5. 当 二 successive stb-commands 出现, 这 第一
没有 相应的 v-信号.
阶段 modulator
这 阶段 modulator 仅有的 使用 一个 外部 电容,
C
B
在 管脚 tcb. 一个 负的-going 转变 在 这 v-输入
导致 c
B
至 生产 一个 积极的-going 直线的 ramp. 当
这 ramp 有 reached 一个 值 almost equal 至 这
调制 输入 电压 (在 mod), 这 ramp terminates,
C
B
discharges 和 一个 开始 信号 至 这 c
一个
-ramp 在 tca 是
生产. 一个 直线的 阶段 调制 是 reached 在 这个
方法. 如果 非 调制 是 必需的, 这 mod-输入 必须 是
连接 至 一个 fixed 电压 的 一个 确实 积极的 值 向上
至 v
DD
. 小心 必须 是 带去 那 这 v’ 脉冲波 是 从不
小 比 这 最小 值 至 确保 那 这 外部
电容 的 pc1 (c
一个
) 能 是 释放 在 那 时间.
自从 这 v’ 脉冲波 宽度 是 直接地 related 至 这 tcb ramp
持续时间, 那里 是 一个 必要条件 为 这 最小 值 的
这个 ramp 持续时间.
涉及 振荡器
这 涉及 振荡器 正常情况下 运作 和 一个 外部
结晶 作 显示 在 图.2. 这 内部的 电路系统 能 是
使用 作 一个 缓存区 放大器 在 情况 一个 外部 涉及
应当 是 必需的.
涉及 分隔物
这 涉及 分隔物 组成 的 一个 二进制的 分隔物 和 一个
可编程序的 分隔 比率 的 1 至 1024 和 一个 预分频器
和 可选择的 分隔 ratios 的 1, 2, 10 和 100,
符合 至 这 下列的 tables:
二进制的 分隔物
预分频器
n (一个
0
至 一个
9
) 分隔 比率
0 1024
0
≤
N
≤
1023 N
程序编制 文字
(ns
0
, ns
1
)
分隔 比率
01
12
210
3 100
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