january 1995 9
飞利浦 半导体 产品 规格
频率 synthesizer
HEF4750V
LSI
直流 特性
在 v
DD
= 10 v
±
5%; 电压 是 关联 至 v
SS
= 0 v, 除非 否则 specified; 为 definitions 看 便条 1.
参数 标识
T
amb
(
°
C
单位 注释
−
40
+
25
+
85
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
安静的 设备
电流 I
DD
−−
100
−−
100
−−
750
µ
A2
输入 电流; 逻辑
输入, mod
±
I
在
−−
300
−−
300
−−
1000 nA 3
输出 泄漏 电流
在
1
⁄
2
V
DD
3,4
tca, 支撑-状态
±
I
Z
−−
20
−
0,05 20
−−
60 nA
tcc, analogue
转变 止
±
I
Z
−−
20
−
0,05 20
−−
60 nA
PC
2
, 高 阻抗
止-状态
±
I
Z
−−
50
−−
50
−−
500 nA
逻辑 输入 电压
低 V
IL
最大值 0,3 v
DD
V
高 V
IH
最大值 0,7 v
DD
V
逻辑 输出 电压
低; 在
I
O
<
1
µ
AV
OL
−−
50
−−
50
−−
50 mV 3
高 V
OH
最小值 v
DD
−
50 mv
mV 3
逻辑 输出 电流
低; 在 v
OL
= 0,5 v 3
输出 ol, pc
2
,
输出 I
OL
5,5
−−
4,6
−−
3,6
−−
毫安
输出 xtal I
OL
2,8
−−
2,4
−−
1,9
−−
毫安
逻辑 输出 电流
高;
在 v
OH
=V
DD
−
0,5 v 3
输出 ol, pc
2
,输出
−
I
OH
1,5
−−
1,3
−−
1,0
−−
毫安
输出 xtal
−
I
OH
1,4
−−
1,2
−−
0,9
−−
毫安
输出 tcc 下沉
电流 I
O
−− −−
2,1
−− − −
毫安 3,4,5
输出 tcc 源
电流
−
I
O
−− −−
1,9
−− − −
毫安 3,4,6
内部的 阻抗
的 tcc
输出 摆动
≤
200 mv
指定 输出 范围:
0,3 v
DD
至 0,7 v
DD
R
i
−− −−
0,7
−− − −
k
Ω
3,4
: 点此下载
