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资料编号:323326
 
资料名称:FDFMA2P853
 
文件大小: 307.08K
   
说明
 
介绍:
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
 
 


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fdfma2p853 整体的 p-频道 powertrench
®
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
fdfma2p853 rev. c (w)
3
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
注释:
1.
R
θ
JA
是 决定 和 这 设备 挂载 在 一个 1 在
2
oz. 铜 垫子 在 一个 1.5 x 1.5 在. 板 的 fr-4 material. r
θ
JC
是 有保证的 用
设计 当 r
θ
JA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
(一个) 场效应晶体管 r
θ
JA
= 86°c/w 当 挂载 在 一个 1 在
2
垫子 的 2 oz 铜, 1.5" x 1.5" x 0.062" 厚 pcb
(b) 场效应晶体管 r
θ
JA
= 173°c/w 当 挂载 在 一个 最小 垫子 的 2 oz 铜
(c) 肖特基 r
θ
JA
= 86°c/w 当 挂载 在 一个 1 在
2
垫子 的 2 oz 铜, 1.5" x 1.5" x 0.062" 厚 pcb
(d) 肖特基 r
θ
JA
= 140°c/w 当 挂载 在 一个 最小 垫子 的 2 oz 铜
一个) 86
o
c/w
挂载
在 一个 1in
2
垫子 的 2 oz
b) 173
o
c/w
挂载 在
一个 最小
垫子 的
2 oz 铜
规模 1: 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
c) 86
o
c/w
挂载
在 一个 1in
2
垫子 的 2 oz
d) 140
o
c/w
挂载 在
一个 最小
垫子 的
2 oz 铜
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