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资料编号:323326
 
资料名称:FDFMA2P853
 
文件大小: 307.08K
   
说明
 
介绍:
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
 
 


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fdfma2p853 整体的 p-频道 powertrench
®
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
fdfma2p853 rev. c (w)
4
典型 特性
图示 1.
0
1
2
3
4
5
6
00.511.522.
5
-v
DS
, 流-源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
-2.5v
-2.0V
V
GS
= -4.5V
-3.0v-3.5V
-1.8V
-1.5V
在-区域 特性 图示 2.
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
0123456
-i
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= -1.5V
-3.5V
-4.5v
-3.0V
-1.8V
-2.5V
-2.0V
在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压
图示 3.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= -3.0a
V
GS
= -4.5v
在-阻抗 变化 和
温度
图示 4.
0.04
0.1
0.16
0.22
0.28
0246810
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= -1.5a
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压
图示 5. 转移 特性
0
1
2
3
4
5
6
0 0.5 1 1.5 2 2.
5
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= -5v
图示 6.
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.
2
-v
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i
S
, 反转 流 电流 (一个)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0v
身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度
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