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资料编号:323380
 
资料名称:FDH50N50
 
文件大小: 222.62K
   
说明
 
介绍:
500V N-Channel MOSFET
 
 


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fdh50n50 / fda50n50 rev. 一个
fdh50n50 / fda50n50 500v n-频道 场效应晶体管
典型 效能 特性
(持续)
图示 13. 典型 切换 losses vs. 图示 14. unclamped inductive 切换
门 阻抗 能力
图示 15. 瞬时 热的 阻抗 曲线
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
200
400
600
800
1,000
注释 :
1. v
DS
= 400 v
2. v
GS
= 12 v
3. i
D
= 25a
4. t
J
= 125
o
C
!
Eoff
Eon
活力 [
µ
J]
R
G
, 门 阻抗 [
]
0.01 0.1 1 10 100
1
10
100
开始 t
J
= 150
o
C
注释 :
1. 如果 r = 0
t
AV
= (l)(i
)/(1.3 评估 bv
DSS
- v
DD
)
2. 如果 r
0
t
AV
= (l/r)in[(i
x r)/(1.3 评估 bv
DSS
- v
DD
)+1]
开始 t
J
= 25
o
C
I
, avalanche 电流 [a]
t
AV
, 时间 在 avalanche [ms]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
注释 :
1. z
θ
JC
(t) = 0.2
o
c/w 最大值
2. 职责 因素, d=t
1
/t
2
3. t
JM
- t
C
= p
DM
* z
θ
JC
(t)
单独的 脉冲波
d=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
JC
(t), 热的 回馈
t
1
, 正方形的 wave 脉冲波 持续时间 [sec]
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