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资料编号:339175
 
资料名称:FZT948
 
文件大小: 216.5K
   
说明
 
介绍:
PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
 
 


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FZT949
电的 特性 (在 t
amb
= 25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 损坏
电压
V
(br)cbo
-50 -80 V
I
C
=-100
µ
一个
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)cer
-50 -80 V
I
C
=-1
µ
一个, rb
1k
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
-30 -45 V I
C
=-10ma*
发射级-根基 损坏
电压
V
(br)ebo
-6 -8 V
I
E
=-100
µ
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
-50
-1
nA
µ
一个
V
CB
=-40v
V
CB
=-40v,
T
amb
=100
°
C
集电级 截-止 电流 I
CER
R
1k
-50
-1
nA
µ
一个
V
CB
=-40v
V
CB
=-40v,
T
amb
=100
°
C
发射级 截-止 电流 I
EBO
-10 nA V
EB
=-6v
集电级-发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
-50
-85
-190
-350
-75
-140
-270
-440
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.5a, i
B
=-20ma*
I
C
=-1a, i
B
=-20ma*
I
C
=-2a, i
B
=-200ma*
I
C
=-5.5a, i
B
=-500ma*
根基-发射级
饱和 电压
V
是(sat)
-1100 -1250 mV I
C
=-5.5a, i
B
=-500ma*
根基-发射级
转变-在 电压
V
是(在)
-900 -1060 mV I
C
=-5.5a, v
CE
=-1v*
静态的 向前
电流 转移 比率
h
FE
100
100
75
200
200
140
35
300
I
C
=-10ma, v
CE
=-1v
I
C
=-1a, v
CE
=-1v*
I
C
=-5a, v
CE
=-1v*
I
C
=-20a, v
CE
=-2v*
转变 频率 f
T
100 MHz I
C
=-100ma, v
CE
=-10v
f=50MHz
输出 电容 C
obo
122 pF V
CB
=-10v, f=1mhz
切换 时间 t
t
120
130
ns
ns
I
C
=-4a, i
B1
=-400ma
I
B2
=400ma, v
CC
=-10v
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
µ
s. 职责 循环
2%
额外的刺激 参数 数据 是 有 在之上 要求 为 这个 设备
R
ce(sat)
44m
在 4.5a
TBA
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