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资料编号:342269
资料名称:
IRG4PC40UD
文件大小: 245.54K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
: 点此下载
1
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PC40UD
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(加载 电流 = i
RMS
的 基本的)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
1
10
100
1000
4681012
C
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
t = 25°c
t = 150°c
J
J
v , 门-至-发射级 电压 (v)
一个
v = 10v
5µs 脉冲波 宽度
CC
1
10
100
1000
0.1
1
10
CE
C
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
v , 集电级-至-发射级 电压 (v)
t = 150°c
t = 25°c
J
J
v = 15v
20µs 脉冲波 宽度
GE
一个
0
10
20
30
0.1
1
10
100
f, 频率 (khz)
加载 电流 (一个)
一个
60%
的 评估
电压
职责 循环: 50%
t = 125°c
t =
90
°C
门 驱动 作 指定
转变-在 losses 包含
影响 的 反转 恢复
下沉
J
Pow
er 消耗 = 35w
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