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资料编号:39308
资料名称:
2SJ186
文件大小: 42.09K
说明
:
介绍
:
Silicon P-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
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6
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8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ186
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item
标识
比率
单位
流 至 源 电压
V
DSS
–200
V
门 至 源 电压
V
GSS
±
15
V
流 电流
I
D
–0.5
一个
流 顶峰 电流
I
d(脉冲波)
*
1
–1.0
一个
身体 至 流 二极管 反转 流 电流
I
DR
–0.5
一个
频道 消耗
Pch*
2
1W
频道 温度
Tch
150
°
C
存储 温度
Tstg
–55 至 +150
°
C
注释:
1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
2.
当 使用 这 alumina 陶瓷的 板 (12.5
×
20
×
0.7 mm)
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