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资料编号:39308
 
资料名称:2SJ186
 
文件大小: 42.09K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ186
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
–200 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
15 V
流 电流 I
D
–0.5 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
*
1
–1.0 一个
身体 至 流 二极管 反转 流 电流 I
DR
–0.5 一个
频道 消耗 Pch*
2
1W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
注释: 1. PW
10
µ
s, 职责 循环
1%
2. 当 使用 这 alumina 陶瓷的 板 (12.5
×
20
×
0.7 mm)
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