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资料编号:39321
 
资料名称:2SJ278
 
文件大小: 42.2K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ278
3
2.0
1.5
1.0
0.5
0
频道 消耗 pch (w)
(在 这 aluminam 陶瓷的 板)
50 100 150 200
包围的 温度 ta (
°
c)
电源 vs. 温度 减额
–5
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.005
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
100 µs
pw = 10 ms (1shot)
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
10 µs
ta = 25 °c
1 ms
直流 运作
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0 –2 –4 –6 –8 –10
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
–3 v
脉冲波 测试
v = –2 v
GS
–2.5 v
典型 输出 特性
–10 v
–6 v
–4 v
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0 –1–2–3–4–5
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
v = –10 v
脉冲波 测试
DS
75 °c
典型 转移 特性
tc = –25 °c
25 °c
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