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资料编号:406823
 
资料名称:IR2105S
 
文件大小: 134.88K
   
说明
 
介绍:
High Voltage, High Speed Power MOSFET and IGBT Driver
 
 


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12
IR2105
www.irf.com
输出 源 电流 (毫安)
图示 22a. 输出 源 电流
vs 温度
图示 22b. 输出 源 电流
vs 电压
图示 23a. 输出 下沉 电流
vs 温度
图示 23b. 输出 下沉 电流
vs 电压
温度 (
o
c)
vbias 供应 电压 (v)
0
100
200
300
400
500
-50-25 0 25 50 75100125
Ty p.
最小值
温度 (
o
c)
输出 下沉 电流 (毫安)
0
100
200
300
400
500
600
700
-50 -25 0 25 50 75 100 125
Typ.
最小值
输出 源 电流 (毫安)
输出 下沉 电流 (毫安)
0
100
200
300
400
500
600
700
10 12 14 16 18 20
Typ.
Min.
0
100
200
300
400
500
10 12 14 16 18 20
Ty p.
最小值.
vbias 供应 电压 (v)
最小值
world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245 电话: (310) 322 3331
ir 好 britain:
hurst 绿色, oxted, surrey rh8 9bb, uk 电话: ++ 44 1883 732020
ir 日本:
k&放大;h bldg., 2f, 30-4 nishi-ikebukuro 3-chome,toshima-ku, tokyo, 日本171-0021 电话: 8133 983 0086
ir 香 港:
单位 308, #f, 新 east ocean centre, 非. 9 science museum road, tsimshatsui east, kowloon, 香
港 电话: (852) 2803-7380
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意. 11/29/99
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