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资料编号:406823
 
资料名称:IR2105S
 
文件大小: 134.88K
   
说明
 
介绍:
High Voltage, High Speed Power MOSFET and IGBT Driver
 
 


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IR2105
www.irf.com
转变-在 延迟 时间 (ns)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
-50 -25 0 25 50 75 100 125
最大值 .
Ty p.
温度 (
o
c)
图示 6a. 转变-在 时间 vs 温度
vbias 供应 电压 (v)
图示6b.转变-在 时间vs 电压
转变-止 延迟 时间 (ns)
0
100
200
300
400
500
-50 -25 0 25 50 75 100 125
最大值 .
Ty p.
转变-止 延迟 时间 (ns)
温度 (
o
c)
图示7a.转变-止 时间vs 温度
vbias 供应 电压 (v)
图示 7b. 转变-止 时间 vs 电压
转变-在 上升 时间 (ns)
图示9a.转变-在上升 时间
vs 温度
转变-在 上升 时间 (ns)
图示9b.转变-在上升 时间
vs 电压
0
100
200
300
400
500
10 12 14 16 18 20
最大值.
典型值
0
100
200
300
400
500
10 12 14 16 18 20
毫安x .
Ty p.
vbias 供应 电压 (v)
0
100
200
300
400
500
-50 -25 0 25 50 75 100 125
毫安 x .
Typ.
温度 (
o
c)
转变-在 延迟 时间 (ns)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10 12 14 16 18 20
最大值 .
Typ.
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