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rev. 1.4 8月. 2005
ddr2 sdram
512mb c-消逝 ddr2 sdram
3. 绝对 最大 直流 比率
便条 :
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 stress 比率 仅有的 和
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 specification 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
2. 存储 温度 是 这 情况 表面 温度 在 这 中心/顶 一侧 的 这 dram. 为 这 度量 情况, please 谈及 至 jesd51-2
标准.
4. 交流 &放大; 直流 运行 情况
推荐 直流 运行 情况 (sstl - 1.8)
便条 : 那里 是 非 明确的 设备 v
DD
供应 电压 必要条件 为 sstl-1.8 遵从. 不管怎样 下面 所有 情况 v
DDQ
必须 是 较少 比 或者 equal
至 v
DD
.
1. 这 值 的 v
REF
将 是 选择 用 这 用户 至 提供 最佳的 噪音 余裕 在 这 系统. 典型地 这 值 的 v
REF
是 预期的 至 是 关于 0.5
x v
DDQ
的 这 transmitting 设备 和 v
REF
是 预期的 至 追踪 变化 在 v
DDQ
.
2. 顶峰 至 顶峰 交流 噪音 在 v
REF
将 不 超过 +/-2% v
REF
(直流).
3. v
TT
的 transmitting 设备 必须 追踪 v
REF
的 接到 设备.
4. 交流 参数 是 量过的 和 v
DD
, v
DDQ
和 v
DDL
系 一起.
标识 参数 比率 单位 注释
V
DD
电压 在 v
DD
管脚 相关的 至 v
SS
- 1.0 v ~ 2.3 v V 1
V
DDQ
电压 在 v
DDQ
管脚 相关的 至 v
SS
- 0.5 v ~ 2.3 v V 1
V
DDL
电压 在 v
DDL
管脚 相关的 至 v
SS
- 0.5 v ~ 2.3 v V 1
V
在,
V
输出
电压 在 任何 管脚 相关的 至 v
SS
- 0.5 v ~ 2.3 v V 1
T
STG
存储 温度 -55 至 +100
°
c 1, 2
标识 参数
比率
单位 注释
最小值 典型值 最大值
V
DD
供应 电压 1.7 1.8 1.9 V
V
DDL
供应 电压 为 dll 1.7 1.8 1.9 V 4
V
DDQ
供应 电压 为 输出 1.7 1.8 1.9 V 4
V
REF
输入 涉及 电压 0.49*v
DDQ
0.50*v
DDQ
0.51*v
DDQ
mV 1,2
V
TT
末端 电压 V
REF
-0.04 V
REF
V
REF
+0.04 V 3
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