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手机版
资料编号:48127
资料名称:
3SK194
文件大小: 37.08K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3SK194
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item
标识
比率
单位
流 至 源 电压
V
DS
15
V
门 1 至 源 电压
V
G1S
±
10
V
门 2 至 源 电压
V
G2S
±
10
V
流 电流
I
D
35
毫安
频道 电源 消耗
Pch
150
mW
频道 温度
Tch
125
°
C
存储 温度
Tstg
–55 至 +125
°
C
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