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资料编号:482240
 
资料名称:MJD112-001
 
文件大小: 147.74K
   
说明
 
介绍:
Complementary Darlington Power Transistors
 
 


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mjd112 (npn) mjd117 (pnp)
http://onsemi.com
5
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
I
C
, 集电级 电流 (放大)
npn mjd112 pnp mjd117
图示 7. 直流 电流 增益
图示 8. 集电级 饱和 区域
图示 9. “on 电压
0.04
I
C
, 集电级 电流 (放大)
300
0.06 0.2
2 k
800
4 k
h
FE
, 直流 电流 增益
V
CE
= 3 v
T
J
= 125
°
C
3 k
0.1 0.6
25
°
C
−55
°
C
1 k
0.4 1
6 k
400
600
2 4 0.04
300
0.06 0.2
2 k
800
4 k
h
FE
, 直流 电流 增益
3 k
0.1 0.6
25
°
C
−55
°
C
1 k
0.4 1
6 k
400
600
24
3.4
I
B
, 根基 电流 (毫安)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1 0.2 0.5 1025
I
C
=
0.5 一个
1 一个
1
3
1
0.04
I
C
, 集电级 电流 (放大)
1.4
1
v, 电压 (伏特)
2.2
1.8
0.6
0.2
T
J
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 250
V
@ v
CE
= 3 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 250
0.06 0.2 20.1 0.60.4 1 4 0.04
I
C
, 集电级 电流 (放大)
1.4
1
v, 电压 (伏特)
2.2
1.8
0.6
0.2
T
J
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 250
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 250
0.06 0.2 20.1 0.60.4 1 4
20 50 100
3.4
I
B
, 根基 电流 (毫安)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1 0.2 0.5 10251
3
1
20 50 100
V
@ v
CE
= 3 v
T
C
= 125
°
C
V
CE
= 3 v
4 一个
T
J
= 125
°
C
2 一个
T
J
= 125
°
C
I
C
=
0.5 一个
1 一个 4 a2 一个
典型 电的 特性
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