MMDF2P02HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
00
2
4
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 2 4 10
0.6
0.04
图示 3. on–resistance 相比
gate–to–source 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
1
100
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
≥
10 v
100
°
C
25
°
C
T
J
= – 55
°
C
0.4
6 8
– 50 0 50 100 150
3
1
1
2
4
3
1.0 1.5 2.0 3.5
0.2
0.20
0.08
0 1.0 2.0 3.0 4.0
0.6
10
0 5 10 15
V
GS
= 10 v
I
D
= 2 一个
1.4
20
0
0.16
0.12
2.5 3.0
I
D
= 1 一个
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
0.5 1.5 2.5 3.5
10 v
V
GS
= 4.5 v
(normalized)
– 25 25 75 125
0.8
1.6
1.2
V
GS
= 0 v
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 125
°
C
100
°
C
1.0
3.7 v
3.1 v
2.7 v
2.9 v
3.3 v
3.5 v
4.5 v
3.9 v
T
J
= 25
°
C
2.5 v
V
GS
= 10 v
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.41 1.2
1.6 1.8 2
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