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资料编号:526752
 
资料名称:P121
 
文件大小: 32.86K
   
说明
 
介绍:
PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
p100 序列
5
公告 i27125 rev. 一个 04/99
www.irf.com
图. 1 - 电流 比率 nomogram (1 单元 每 散热器)
图. 2 - 在-状态 电源 丧失 特性 图. 3 - 在-状态 电源 丧失 特性
0
5
10
15
0 5 10 15
180
°
120°
90°
60°
30°
平均 在-状态 电流(一个)
最大 一个verage在-状态Power loss (w)
rms 限制
传导 角度
p100 序列
t = 125
°C
Junction
J
0
5
10
15
20
0 5 10 15 20
平均 在-状态 电流 (一个)
最大 平均 在-状态 电源 丧失 (w)
Conduct ion 每iod
直流
180
°
120°
90°
60°
30°
rms 限制
p100 序列
t = 125°c
每 接合面
J
图. 4 - 电流 比率 特性
图. 5 - 在-状态 电压 漏出 特性
1
10
100
1000
0123456
p100 序列
每 接合面
t = 125
°C
t = 25°C
J
J
instantaneous 在-状态 电流 (一个)
Instantaneous 在-状态 voltage (v)
0 25 50 75 100 125
最大容许的 包围的 temperature (
°c)
2
K
/
W
3
K
/
W
5
K
/
W
7
K
/
W
1
0
K
/
W
R = 1
.
5
K
/w - d
el
t
一个 r
t
hS
一个
0
10
20
30
40
50
60
0 5 10 15 20 25
180
°
(sine)
总的 输出 电流 (一个)
最大 总的电源丧失 (w)
p100 序列
t = 125°c
J
70
80
90
100
110
120
130
0 5 10 15 20 25 30
180
°
(sine)
180°
(rect)
全部地 转变.在
总的输出Current(一个)
毫安ximum 一个l一个ble caseTempe rature (
°c)
p100 序列
每 单元
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