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产品 数据 薄板 rev. 02 — 27 将 2004 2 的 11
飞利浦 半导体
PESD5V0S2BT
低 电容 bi-directional 翻倍 静电释放 保护 二极管
2. 固定 信息
3. 订货 信息
4. 标记
[1] * = p: 制造 在 香 港.
* = t: 制造 在 马来西亚.
* = w: 制造 在 中国.
5. 限制的 值
[1] 非-repetitive 电流 脉冲波 8/20
µ
s exponential decay 波形; 看 图示 1.
[2] 量过的 在 管脚 1 至 3 或者 管脚 2 至 3.
表格 2: 分离的 固定
管脚 描述 simplified 外形 标识
1 cathode 1
2 cathode 2
3 翻倍 cathode
SOT23
1 2
3
1
2
3
sym031
表格 3: 订货 信息
类型 号码 包装
名字 描述 版本
PESD5V0S2BT - 塑料 表面 挂载 包装; 3 leads SOT23
表格 4: 标记
类型 号码 标记 代号
[1]
PESD5V0S2BT *G5
表格 5: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 二极管
P
pp
顶峰 脉冲波 电源 8/20
µ
s 脉冲波
[1] [2]
- 130 W
I
pp
顶峰 脉冲波 电流 8/20
µ
s 脉冲波
[1] [2]
-12a
T
j
接合面 温度 - 150
°
C
T
amb
运行 包围的
温度
−
65 +150
°
C
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C