PESD5V0S2BT_集成电路资料查询网

9397 750 13344 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有 权利 保留.
产品 数据 薄板 rev. 02 — 27 将 2004 5 的 11
飞利浦 半导体
PESD5V0S2BT
低 电容 bi-directional 翻倍 静电释放 保护 二极管
T
amb
= 25
°
c; f = 1 mhz. I
R
< 1 na 量过的 在 t
amb
= 25
°
c.
图 5. 二极管 电容 作 一个 函数 的 反转
电压; 典型 值.
图 6. 相关的 变化 的 反转 泄漏 电流 作
一个 函数 的 接合面 温度; 典型
值.
V
R
(v)
054231
001aaa634
30
26
34
38
C
d
(pf)
22
001aaa635
T
j
(
°
c)
75 150125100
10
1
10
2
10
−
1
I
R
I
r(85
°
c)

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

9397 750 13344 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有权利保留. 产品数据薄板 rev. 02 — 27 将 2004 5 的 11 飞利浦半导体 PESD5V0S2BT 低电容 bi-directional 翻倍静电释放保护二极管 T amb = 25 ° c; f = 1 mhz. I R < 1 na 量过的在 t amb = 25 ° c. 图 5. 二极管电容作一个函数的反转电压; 典型值. 图 6. 相关的变化的反转泄漏电流作一个函数的接合面温度; 典型值. V R (v) 054231 001aaa634 30 26 34 38 C d (pf) 22 001aaa635 T j ( ° c) 75 150125100 10 1 10 2 10 − 1 I R I r(85 ° c)

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com