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资料编号:577226
 
资料名称:RFD3055LESM
 
文件大小: 416.36K
   
说明
 
介绍:
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6-3
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. NORMALIZED 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 电流 vs
情况 温度
图示 3. normalized 瞬时 热的 阻抗
图示 4. 向前 偏差 safe 运行 范围 图示 5. 顶峰 电流 能力
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
25 50 75 100
125
150
175
0
电源 消耗 乘法器
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
5
10
15
25 50 75 100 125 150 175
0
I
D
, 流 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
V
GS
= 10v
V
GS
= 4.5v
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
Z
θ
JC
, normalized
单独的 脉冲波
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JC
x r
θ
JC
+ t
C
P
DM
t
1
t
2
职责 循环 - descending 顺序
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
热的 阻抗
1
10
100
1 10 100
0.1
200
100
µ
s
10ms
1ms
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
限制 用 r
ds(在)
范围 将 是
运作 在 这个
T
J
= 最大值 评估
T
C
= 25
o
C
单独的 脉冲波
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
200
10
I
DM
, 顶峰 电流 (一个)
t, 脉冲波 宽度 (s)
跨导
将 限制 电流
在 这个 区域
T
C
= 25
o
C
i = i
25
175 - t
C
150
为 温度
在之上 25
o
c 减额 顶峰
电流 作 跟随:
V
GS
= 5v
rfd3055le, rfd3055lesm, rfp3055le
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