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资料编号:577467
 
资料名称:RFL1N10L
 
文件大小: 29.9K
   
说明
 
介绍:
1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
 
 


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图示 7. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 8. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 9. 电容 vs 流 至 源 电压
便条: 谈及 至 intersil 应用 注释 an7254 和 an7260.
图示 10. normalized 切换 波形 为
常量 门 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
1.5
1
0.5
-50 0 50 100 150
T
j,
接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= 5v
I
D
= 1a
normalized 流 至 源
2
在 阻抗
2.5
1.5
1
0.5
-50 0 50 100 150
T
j,
接合面 温度 (
o
c)
I
D
= 250
µ
一个
V
GS
=V
DS
normalized 门
门槛 电压
2
0102030405060
c, 电容 (pf)
V
ds,
流 至 源 电压 (v)
240
200
160
120
80
40
f = 1mhz
C
OSS
C
ISS
C
RSS
0.75v
DSS
0.75v
DSS
0.50v
DSS
0.50v
DSS
0.25v
DSS
0.25v
DSS
电压
V
DD
= v
DSS
V
DD
= v
DSS
BV
DSS
I
g(ref)
I
g(act)
20 80
流 源 电压
I
g(ref)
I
g(act)
R
L
= 50
I
g(ref)
= 0.094ma
V
GS
= 5v
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
t, 时间 (
µ
s)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
100
75
50
25
0
10
8
6
4
0
2
测试 电路 和 波形
图示 11. 切换 时间 测试 电路 图示 12. resistive 切换 波形
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
t
d(在)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(止)
t
90%
50%
50%
10%
脉冲波 宽度
V
GS
0
0
RFL1N10L
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