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AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
alliance 半导体
2 的 24
函数的 描述
这 as4c256k16e0 是 一个 高 效能 4 megabit cmos 动态 随机的 进入 记忆 (dram) 有组织的 作 262,144 words 用 16
位. 这 as4c256k16e0 是 fabricated 和 先进的 cmos 技术 和 设计 和 革新的 设计 技巧 结果 在高
速, 极其 低 电源 和 宽 运行 margins 在 组件 和 系统 水平.
这 as4c256k16e0 特性 一个 高 速 页 模式 运作 在 这个 高 速 读, 写 和 读-写 是 执行 在 任何的 这
512
×
16 位 定义 用 这 column 地址. 这 异步的 column 地址 使用 一个 极其 短的 行 地址 俘获 时间 至 ease
这 系统 水平的 定时 constraints 有关联的 和 多路复用 寻址. 非常 快 cas
至 输出 进入 时间 eases 系统 设计.
refresh 在 这 512 地址 结合体 的 a0 至 a8 在 一个 8 ms 时期 是 accomplished 用 performing 任何 的 这 下列的:
•RAS-仅有的 refresh 循环
• hidden refresh 循环
•CAS
-在之前-rasrefresh 循环
• 正常的 读 或者 写 循环
• 自-refresh cycles*
这 as4c256k16e0 是 有 在 标准 40-管脚 塑料 soj 和 40/44-管脚 tsop ii 包装 兼容 和 widely 有 automated
测试 和 嵌入 设备. 系统 水平的 特性 包含 单独的 电源 供应 的 5v
±
0.5v 容忍 和 直接 接口 和 ttl 逻辑
families.
逻辑 块 图解
推荐 运行 情况
(t
一个
= 0°c 至 +70°c)
*self-refresh 选项 是 有 为 新 一代 设备 仅有的. 联系 alliance 为 更多 信息.
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压
V
CC
4.5 5.0 5.5 V
地 0.0 0.0 0.0 V
输入 电压
V
IH
2.4 – V
CC
+ 1 V
V
IL
–1.0 – 0.8 V
REFRESH
控制
512×512×16
排列
(4,194,304)
sense 放大
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
V
CC
地
地址 缓存区
A8
行 解码器
column 解码器
RAS时钟
发生器
基质
偏差
发生器
数据
i/o
缓存区
OE
RAS
UCAS
我们时钟
发生器
我们
LCAS
i/o0 至 i/o15
CAS时钟
发生器
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