首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:648835
 
资料名称:TISP61089B
 
文件大小: 411.16K
   
说明
 
介绍:
TISP61089B High Voltage Ringing SLIC Protector
 
 


: 点此下载
  浏览型号TISP61089B的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号TISP61089B的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号TISP61089B的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号TISP61089B的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号TISP61089B的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号TISP61089B的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号TISP61089B的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号TISP61089B的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
october 2000 - 修订 二月 2005
规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
客户 应当 核实 真实的 设备 效能 在 它们的 明确的 产品.
描述 (持续)
这 slic 线条 驱动器 部分 是 典型地 powered 从 0 v (地面) 和 一个 负的 电压 在 这 区域 的 -20 v 至 -150 v. 这 protector 门 是
然后 追踪 这 负的 供应 电压 和 这 超(电)压 压力 在 这 slic 是 使减少到最低限度.
积极的 overvoltages 是 clipped 至 地面 用 二极管 向前 传导. 负的 overvoltages 是 initially clipped 关闭 至 这 slic 负的
设备 一致的 至 itu-t recommendations k.20 或者 k.21 或者 k.45 only, 这 序列 电阻 值 是 设置 用 这 coordination requirements.
为 coordination 和 一个 400 v 限制 gdt, 一个 最小 序列 电阻 值 的 10
是 推荐.
这些 大而单一的 保护 设备 是 fabricated 在 ion-implanted planar vertical 电源 结构 为 高 可靠性 和 i
运作 它们 是 virtually transparent. 这 tisp61089b 缓冲 门 设计 减少 这 加载 在 这 slic 供应 在 overvoltages
造成 用 电源 交叉 和 入门. 这 tisp61089b 是 有 在 一个 8-管脚 塑料 小-外形 表面 挂载 包装.
tisp61089b 高 电压 ringing slic protector
绝对 最大 比率, -40
°
C
T
J
85
°
c (除非 否则 指出)
比率 标识 单位
Repetitive 顶峰 止-状态 电压, v
GK
=0 V
DRM
-170 V
Repetitive 顶峰 门-cathode 电压, v
KA
=0 V
GKRM
-167 V
非-repetitive 顶峰 在-状态 脉冲波 电流 (看 注释 1 和 2)
I
TSP
一个
10/1000
µ
s(Telcordia (bellcore) gr-1089-核心, 公布 2, 二月 1999, 部分 4)
5/320
µ
s (itu-t k.20, k.21&放大; k.45, k.44 open-circuit 电压 波 shape 10/700
µ
s)
10/360
µ
s(Telcordia (bellcore) gr-1089-核心, 公布 2, 二月 1999, 部分 4)
30
40
40
1.2/50
µ
s(Telcordia (bellcore) gr-1089-核心, 公布 2, 二月 1999, 部分 4) 100
2/10
µ
s(Te l cordia (bellcore) gr-1089-核心, 公布 2, 二月 1999,
部分 4) T
J
= 25
°
C
120
170
非-repetitive 顶峰 在-状态 电流, 60 hz (看 注释 1, 2 和 3)
I
TSM
一个
0.5 s 6.5
1s
2s
5s
30 s
900 s
4.6
3.4
2.3
1.3
0.73
非-repetitive 顶峰 门 电流, 1/2
µ
spulse, cathodes commoned (看 注释 1 和 2) I
GSM
+40 一个
运算erating 自由-空气 温度 范围 T
一个
-40 至 +85
°
C
Junction 温度 T
J
-40 至 +150
°
C
St或者age 温度 范围 T
stg
-40 至 +150
°
C
注释: 1. initially, 这 protector 必须 是 在 热的 equilibrium 和 -40
°
C
T
J
85
°
c. the surge 将 是 重复的 之后 这 设备 returns
s最初的 conditions.
2. 这 评估 电流 值 将 是 应用 也 至 这 环绕 至 地面 或者 至 这 tip 至 地面 终端 pairs. additionally, both
terminal pairs 将 有 它们的 评估 电流 值 应用 同时发生地 (在 这个 情况 这 地面 终端 电流 将 是 twice
the 评估 电流 值 的 一个 单独的 终端 一双). 在之上 85
°
c,减额 成直线地 至 零 在 150
°
c 含铅的 温度.
3. 值 为 v
GG
= -100 v. 为 值 在 其它 电压 看 图示 2.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com