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资料编号:705266
 
资料名称:IGW75N60T
 
文件大小: 377.79K
   
说明
 
介绍:
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IGW75N60T
trenchstop 序列
q
电源 半导体
3 rev. 2.1 dec-04
切换 典型的, inductive 加载,
T
j
=25
°
C
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 33 -
上升 时间
t
r
- 36 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 330 -
下降 时间
t
f
- 35 -
ns
转变-在 活力
1)
E
- 2.0 -
转变-止 活力
E
- 2.5 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
c,
V
CC
=400v,
I
C
=75a,
V
GE
=0/15v,
R
G
=5
,
L
σ
2)
=100nh,
C
σ
2)
=39pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
- 4.5 -
mJ
切换 典型的, inductive 加载,
T
j
=175
°
C
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 32 -
上升 时间
t
r
- 37 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 363 -
下降 时间
t
f
- 38 -
ns
转变-在 活力
1)
E
- 2.9 -
转变-止 活力
E
- 2.9 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=175
°
c,
V
CC
=400v,
I
C
=75a,
V
GE
=0/15v,
R
G
= 5
L
σ
2)
=100nh,
C
σ
2)
=39pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
- 5.8 -
mJ
1)
包含 反转 恢复 losses 从 ikw75n60t 预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.
2)
泄漏 电感
L
σ
一个nd偏离 capacity
C
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.
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